发明授权
- 专利标题: 反应性溅射装置
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申请号: CN201380079134.0申请日: 2013-10-03
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公开(公告)号: CN105518179B公开(公告)日: 2018-06-22
- 发明人: 武井応树 , 矶部辰德 , 清田淳也 , 大野哲宏 , 佐藤重光
- 申请人: 株式会社爱发科
- 申请人地址: 日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地
- 专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地
- 代理机构: 上海和跃知识产权代理事务所
- 代理商 胡艳
- 优先权: 2013-178469 2013.08.29 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/076974 2013.10.03
- 国际公布: WO2015/029264 JA 2015.03.05
- 进入国家日期: 2016-02-25
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34
摘要:
反应性溅射装置具备阴极装置(18),阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备:扫描部(27),其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域;以及靶(23),其形成有烧蚀区域,扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域,在开始位置(St)上,扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上,靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
公开/授权文献
- CN105518179A 反应性溅射装置 公开/授权日:2016-04-20
IPC分类: