公开(公告)号：CN102097270B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201010580566.8

申请日：2010-12-09

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 矶部辰德 ,  仓田敬臣 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  佐藤善胜 ,  佐藤重光

IPC分类号： H01J23/087 ,  H01J37/34

摘要： 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置，其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域，使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上，所述磁铁组设置在靶的下侧，在靶的上方形成隧道形的磁力线，所述磁铁组包括：沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁，以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁，用以改变靶一侧的极性，还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部，即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。

公开(公告)号：CN102666909A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080051495.0

申请日：2010-11-16

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 汤川富之 ,  武井応树 ,  小林大士 ,  赤松泰彦 ,  清田淳也 ,  增泽健二 ,  石桥晓

IPC分类号： C23C14/08 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。

公开(公告)号：CN101871092B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010149872.6

申请日：2010-04-19

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 大石祐一 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  石桥哲 ,  小林大士

IPC分类号： C23C14/34

摘要： 本发明提供一种反应性溅射方法，可不受靶的边缘区域上形成的绝缘膜的影响而维持高速率成膜。在向溅射室(11)内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板S相对设置的导电性靶(41)施加电力，在溅射室内形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，通过反应性溅射在所述处理基板表面形成规定的薄膜。在上述溅射方法中，通过向所述靶施加电力的溅射电源E监视累计投入电力，当该累计值达到规定值时，停止反应气体的导入，仅导入溅射气体对靶进行规定时间的溅射。

公开(公告)号：CN102165570A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137929.6

申请日：2009-08-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。

公开(公告)号：CN1904132B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610107627.2

申请日：2006-07-28

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小林大士 ,  谷典明 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  新井真

IPC分类号： C23C14/34

摘要： 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少4片的靶(241)和逐一地连接以便对并列地设置的靶中的2片靶交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E)，将各交流电源(E)连接到互不相邻的2片靶(241)上。

公开(公告)号：CN101978094A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109274.1

申请日：2009-03-10

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 赤松泰彦 ,  中村久三 ,  小林大士 ,  清田淳也 ,  汤川富之 ,  武井应树 ,  大石祐一 ,  新井真 ,  石桥晓

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444

摘要： 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。

公开(公告)号：CN100523282C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200410045720.6

申请日：2004-05-21

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 佐藤重光 ,  末代政辅 ,  大空弘树 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  石桥晓 ,  太田淳

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/203

CPC分类号： H01J37/3408 ,  C23C14/086 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3455

摘要： 在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。

公开(公告)号：CN108352410B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201680063644.2

申请日：2016-11-22

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树 ,  高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

摘要： 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。

公开(公告)号：CN109729718A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201880002608.4

申请日：2018-04-25

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 横山礼宽 ,  武井应树 ,  佐藤昌敏 ,  清田淳也

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/56

摘要： 本发明的一形态的成膜装置具有展开辊、卷取辊、加热辊、成膜部以及控制部。展开辊用于展开作为长条的膜的基材。卷取辊用于卷绕从展开辊展开的基材。加热辊包含温度调节单元，并在基材的输送方向上设置于展开辊与卷取辊之间，用于加热基材。成膜部包含蒸发源，并将金属膜成膜在基材上，该蒸发源与加热辊对置而设置，且具有用于加热金属材料的加热机构。控制部在基材从加热辊展开并卷绕到卷取辊的过程中，控制温度调节单元或加热机构中的至少一者，以使金属膜与基材之间的温度差为0℃以上且不足180℃。

公开(公告)号：CN105575803B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201610010064.9

申请日：2009-08-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 赤松泰彦 ,  武井应树 ,  清田淳也 ,  石桥晓 ,  汤川富之 ,  小林大士 ,  仓田敬臣 ,  新井真

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  C23C14/34

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In‑Ga‑Zn‑O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。