一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法
摘要:
本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法,所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照,即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜,薄膜具有明显的室温铁磁性,且其饱和磁化强度相较强,具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效,可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。
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