发明公开
- 专利标题: 二次电池及二次电池的制造方法
- 专利标题(英): Secondary battery and manufacturing method of the same
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申请号: CN201510685917.4申请日: 2015-10-21
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公开(公告)号: CN105552303A公开(公告)日: 2016-05-04
- 发明人: 后藤准也 , 元吉真子 , 佐藤结香 , 川上贵洋
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张淑珍; 王维玉
- 优先权: 2014-217229 2014.10.24 JP
- 主分类号: H01M4/131
- IPC分类号: H01M4/131 ; H01M4/134 ; H01M4/70 ; H01M10/0525 ; H01M10/058
摘要:
本发明的一个方式的目的是提供一种负极及使用该负极的二次电池。为了达到上述目的,在本发明的一个方式中,在负极活性物质层和负极集电体中设置多个凹凸。通过利用设置在负极活性物质层中的多个凹凸,可以吸收负极活性物质的膨胀,由此抑制其变形。另外,通过利用设置在负极集电体中的多个凹凸,可以抑制由于负极活性物质的膨胀及收缩导致的负极集电体的变形。
公开/授权文献
- CN105552303B 二次电池及二次电池的制造方法 公开/授权日:2020-08-07