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CN105575943B 有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块和集成功率模块 有权

有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块和集成功率模块
摘要：
本发明的各实施例涉及具有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块以及集成功率模块。一种功率半导体模块包括：直接铜键合(DCB)衬底，DCB衬底具有：陶瓷衬底；第一铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的第一主要表面上；以及第二铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的与第一主要表面相对的第二主要表面上。该功率半导体模块进一步包括：功率半导体裸片，其附接第一铜金属化结构；无源部件，其附接第一铜金属化结构，第一隔离层，第一结构化金属化层，其在第一隔离层上；以及多个第一导电过孔，其通过第一隔离层从第一结构化的金属化层延伸至功率半导体裸片和无源部件。还提供了一种集成功率模块、以及一种制造该集成功率模块的方法。
摘要（英）：

A power semiconductor module includes a direct copper bonded (DCB) substrate having a ceramic substrate, a first copper metallization bonded to a first main surface of the ceramic substrate and a second copper metallization bonded to a second main surface of the ceramic substrate opposite the first main surface. The power semiconductor module further includes a power semiconductor die attached the first copper metallization, a passive component attached the first copper metallization, a first isolation layer encapsulating the power semiconductor die and the passive component, a first structured metallization layer on the first isolation layer, and a first plurality of electrically conductive vias extending through the first isolation layer from the first structured metallization layer to the power semiconductor die and the passive component. An integrated power module and a method of manufacturing the integrated power module are also provided.

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