公开(公告)号：CN104637931A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410643898.4

申请日：2014-11-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  J·赫格尔 ,  A·凯斯勒 ,  M·霍伊

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L25/074 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/162 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体封装包括：包括多个半导体晶体管芯片和设置在半导体晶体管芯片上方的第一密封层的第一半导体模块，以及设置在第一半导体模块上方的第二半导体模块。第二半导体模块包括多个半导体驱动器通道以及设置在半导体驱动器通道上方的第二密封层。半导体驱动器通道被配置为驱动半导体晶体管芯片。

公开(公告)号：CN104617068A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410601628.7

申请日：2014-10-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·海因里希 ,  P·舍尔 ,  M·霍伊 ,  H-J·蒂默

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45028 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45184 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48092 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/111 ,  H05K1/14 ,  H05K3/32 ,  H05K3/36 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/04 ,  H05K2203/0285 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种电子器件和制造电子器件的方法。一种电子器件可以包括半导体元件和将半导体元件连接至衬底的接线键合。使用编织键合接线可以改进接线键合的机械和电性质。此外，还会存在成本效益。编织键合接线可以用于任何电子器件，例如用于功率器件或者集成逻辑器件。

公开(公告)号：CN104637931B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410643898.4

申请日：2014-11-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  J·赫格尔 ,  A·凯斯勒 ,  M·霍伊

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L25/074 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/162 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体封装包括：包括多个半导体晶体管芯片和设置在半导体晶体管芯片上方的第一密封层的第一半导体模块，以及设置在第一半导体模块上方的第二半导体模块。第二半导体模块包括多个半导体驱动器通道以及设置在半导体驱动器通道上方的第二密封层。半导体驱动器通道被配置为驱动半导体晶体管芯片。

公开(公告)号：CN104517952B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410495957.8

申请日：2014-09-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·阿伦斯 ,  J·赫格尔 ,  M·霍伊

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/055 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/28 ,  H05K3/284 ,  H05K7/1432 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/042 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/10318 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体模块。根据本发明的一个示例该功率半导体模块具有电路板，该电路板具有布置在电路板的顶面上的结构化的第一金属结构和至少一个第二金属结构。在电路板的顶面上布置至少一个无壳体的半导体芯片，半导体芯片具有多个接触电极，这些接触电极又通过焊线与第一金属结构的相应的接触片在电路板的顶面上相连接。接触电极和相应的接触片的第一部分在运行时是高电压接通的。所有高电压接通的接触片通过内层连接与第二金属结构导电地连接。绝缘层完全覆盖芯片和围绕该芯片的电路板的分隔区域，其中所有高电压接通的接触片和内层连接被该绝缘层完全覆盖。多个接触电极和相应的接触片的第二部分在运行时处于低电压。

公开(公告)号：CN105575943A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510718077.7

申请日：2015-10-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  J·赫格尔 ,  G·贝尔 ,  M·霍伊 ,  G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/00 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明的各实施例涉及具有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块以及集成功率模块。一种功率半导体模块包括：直接铜键合(DCB)衬底，DCB衬底具有：陶瓷衬底；第一铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的第一主要表面上；以及第二铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的与第一主要表面相对的第二主要表面上。该功率半导体模块进一步包括：功率半导体裸片，其附接第一铜金属化结构；无源部件，其附接第一铜金属化结构，第一隔离层，第一结构化金属化层，其在第一隔离层上；以及多个第一导电过孔，其通过第一隔离层从第一结构化的金属化层延伸至功率半导体裸片和无源部件。还提供了一种集成功率模块、以及一种制造该集成功率模块的方法。

公开(公告)号：CN104517952A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410495957.8

申请日：2014-09-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·阿伦斯 ,  J·赫格尔 ,  M·霍伊

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/055 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/28 ,  H05K3/284 ,  H05K7/1432 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/042 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/10318 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体模块。根据本发明的一个示例该功率半导体模块具有电路板，该电路板具有布置在电路板的顶面上的结构化的第一金属结构和至少一个第二金属结构。在电路板的顶面上布置至少一个无壳体的半导体芯片，半导体芯片具有多个接触电极，这些接触电极又通过焊线与第一金属结构的相应的接触片在电路板的顶面上相连接。接触电极和相应的接触片的第一部分在运行时是高电压接通的。所有高电压接通的接触片通过内层连接与第二金属结构导电地连接。绝缘层完全覆盖芯片和围绕该芯片的电路板的分隔区域，其中所有高电压接通的接触片和内层连接被该绝缘层完全覆盖。多个接触电极和相应的接触片的第二部分在运行时处于低电压。

公开(公告)号：CN105575943B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510718077.7

申请日：2015-10-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  J·赫格尔 ,  G·贝尔 ,  M·霍伊 ,  G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/00 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明的各实施例涉及具有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块以及集成功率模块。一种功率半导体模块包括：直接铜键合(DCB)衬底，DCB衬底具有：陶瓷衬底；第一铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的第一主要表面上；以及第二铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的与第一主要表面相对的第二主要表面上。该功率半导体模块进一步包括：功率半导体裸片，其附接第一铜金属化结构；无源部件，其附接第一铜金属化结构，第一隔离层，第一结构化金属化层，其在第一隔离层上；以及多个第一导电过孔，其通过第一隔离层从第一结构化的金属化层延伸至功率半导体裸片和无源部件。还提供了一种集成功率模块、以及一种制造该集成功率模块的方法。