公开(公告)号：CN105575943A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510718077.7

申请日：2015-10-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  J·赫格尔 ,  G·贝尔 ,  M·霍伊 ,  G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/00 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明的各实施例涉及具有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块以及集成功率模块。一种功率半导体模块包括：直接铜键合(DCB)衬底，DCB衬底具有：陶瓷衬底；第一铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的第一主要表面上；以及第二铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的与第一主要表面相对的第二主要表面上。该功率半导体模块进一步包括：功率半导体裸片，其附接第一铜金属化结构；无源部件，其附接第一铜金属化结构，第一隔离层，第一结构化金属化层，其在第一隔离层上；以及多个第一导电过孔，其通过第一隔离层从第一结构化的金属化层延伸至功率半导体裸片和无源部件。还提供了一种集成功率模块、以及一种制造该集成功率模块的方法。

公开(公告)号：CN109637991A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811159881.6

申请日：2018-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及半导体管芯附接系统和方法。半导体封装包括半导体管芯、用于支撑半导体管芯的衬底、覆盖半导体管芯和至少部分衬底的包封剂、以及将半导体管芯附接到衬底的管芯附接材料。管芯附接材料包括具有第一官能团和第二官能团的分子，第一官能团具有至少一个自由电子对，第二官能团以促进与包封剂的粘附性的方式与包封剂发生化学反应或可反应。还描述了制造半导体封装的对应方法。

公开(公告)号：CN101582396B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200910138215.9

申请日：2009-05-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/498 ,  H01L23/29 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称为半导体器件及半导体器件的制造，提供一种半导体器件。在一个实施例中，该器件包括载体。第一材料淀积在该载体上。第一材料具有小于100MPa的弹性模量。半导体芯片放置在第一材料上方。第二材料淀积在半导体芯片上，第二材料电绝缘。金属层放置在第二材料上方。

公开(公告)号：CN101582396A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910138215.9

申请日：2009-05-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/498 ,  H01L23/29 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的名称为半导体器件及半导体器件的制造，提供一种半导体器件。在一个实施例中，该器件包括载体。第一材料淀积在该载体上。第一材料具有小于100MPa的弹性模量。半导体芯片放置在第一材料上方。第二材料淀积在半导体芯片上，第二材料电绝缘。金属层放置在第二材料上方。

公开(公告)号：CN104377172B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410361357.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/12 ,  H01L23/492 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24265 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种芯片封装件，包括导电芯片载体和被附着到导电芯片载体的至少一个第一半导体芯片。该芯片封装件还包括无源部件。该导电芯片载体，至少一个第一半导体芯片和无源部件被嵌入在绝缘层合结构中。

公开(公告)号：CN109637991B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201811159881.6

申请日：2018-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及半导体管芯附接系统和方法。半导体封装包括半导体管芯、用于支撑半导体管芯的衬底、覆盖半导体管芯和至少部分衬底的包封剂、以及将半导体管芯附接到衬底的管芯附接材料。管芯附接材料包括具有第一官能团和第二官能团的分子，第一官能团具有至少一个自由电子对，第二官能团以促进与包封剂的粘附性的方式与包封剂发生化学反应或可反应。还描述了制造半导体封装的对应方法。

公开(公告)号：CN105575943B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510718077.7

申请日：2015-10-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·霍尔菲尔德 ,  J·赫格尔 ,  G·贝尔 ,  M·霍伊 ,  G·迈耶-伯格

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/00 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明的各实施例涉及具有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块以及集成功率模块。一种功率半导体模块包括：直接铜键合(DCB)衬底，DCB衬底具有：陶瓷衬底；第一铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的第一主要表面上；以及第二铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的与第一主要表面相对的第二主要表面上。该功率半导体模块进一步包括：功率半导体裸片，其附接第一铜金属化结构；无源部件，其附接第一铜金属化结构，第一隔离层，第一结构化金属化层，其在第一隔离层上；以及多个第一导电过孔，其通过第一隔离层从第一结构化的金属化层延伸至功率半导体裸片和无源部件。还提供了一种集成功率模块、以及一种制造该集成功率模块的方法。

公开(公告)号：CN104282635A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410326572.9

申请日：2014-07-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·迈耶-伯格 ,  R·普法尔 ,  M·戈罗尔 ,  R·杜德克

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/04 ,  G06F17/5068 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/81 ,  H01L25/10 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/35121 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装件，包括：具有相对的第一和第二主表面以及介于第一和第二主表面之间的侧面的支撑基板，半导体裸片，其被附接到支撑基板的主表面中的一个主表面，以及封装材料，其至少部分地覆盖支撑基板和半导体裸片。突出部从支撑基板的侧面向外延伸并终止在封装材料中。突出部形成与封装材料的互锁连接。互锁的连接增加了介于封装材料与具有突出部的支撑基板的侧面之间的界面的抗拉强度。

公开(公告)号：CN104282635B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410326572.9

申请日：2014-07-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·迈耶-伯格 ,  R·普法尔 ,  M·戈罗尔 ,  R·杜德克

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/04 ,  G06F17/5068 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/81 ,  H01L25/10 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/35121 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装件，包括：具有相对的第一和第二主表面以及介于第一和第二主表面之间的侧面的支撑基板，半导体裸片，其被附接到支撑基板的主表面中的一个主表面，以及封装材料，其至少部分地覆盖支撑基板和半导体裸片。突出部从支撑基板的侧面向外延伸并终止在封装材料中。突出部形成与封装材料的互锁连接。互锁的连接增加了介于封装材料与具有突出部的支撑基板的侧面之间的界面的抗拉强度。

公开(公告)号：CN104600053A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601468.6

申请日：2014-10-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·迈耶-伯格 ,  R·普法尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L24/03 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种用于芯片的再分布层，其中再分布层包括使两个连接点彼此连接的至少一个电导体路径，其中至少一个电导体路径被布置在平坦的支撑层上，以及其中电导体路径包括铜和数量上大于0.04的质量百分比的至少一种其他另一导电材料。