发明公开
CN105580083A 基于电阻的具有多条源线的存储器单元
失效 - 权利终止
- 专利标题： 基于电阻的具有多条源线的存储器单元
- 专利标题（英）： Resistance-based memory cells with multiple source lines
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申请号： CN201480053554.6申请日： 2014-09-18
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公开(公告)号： CN105580083A公开(公告)日： 2016-05-11
- 发明人: X·董
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 唐杰敏
- 优先权： 14/041,868 2013.09.30 US
- 国际申请： PCT/US2014/056210 2014.09.18
- 国际公布： WO2015/047844 EN 2015.04.02
- 进入国家日期： 2016-03-28
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C11/16 ; G11C11/56 ; G11C13/00 ; G11C17/02 ; G11C17/14 ; G11C7/10 ; G11C8/16
摘要：
在一特定实施例中，一种设备包括具有多条源线和多个存取晶体管的基于电阻的存储器单元。该多个存取晶体管至多条源线的耦合配置编码数据值。
公开/授权文献
- CN105580083B 基于电阻的具有多条源线的存储器单元 公开/授权日：2018-03-16
