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公开(公告)号：CN105706170B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201480061085.2
申请日：2014-10-30
申请人： 高通股份有限公司
发明人： D·V·斯里拉玛吉利 , J·P·金 , J·徐 , X·董
IPC分类号： G11C11/406
摘要： 一种方法包括从存储器设备向存储器控制器发送第一信号。该第一信号向存储器控制器指示存储器设备的特定存储器单元将要被存储器设备刷新以使得该控制器可将进一步命令的发送适配到该存储器设备。
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公开(公告)号：CN105874440A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480072129.1
申请日：2014-12-11
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G06F12/0873 , G06F12/0895
CPC分类号： G06F12/0833 , G06F3/0608 , G06F12/0873 , G06F12/0895 , G06F12/12 , G06F2206/1004 , Y02D10/13
摘要： 公开了用于对存储器进行碎片整理的系统和方法。在一特定实施例中，一种方法包括将存储在存储器的第一物理存储器地址处的数据从该存储器加载到数据高速缓存的高速缓存行。第一物理存储器地址被映射到第一虚拟存储器地址。该方法进一步包括在数据高速缓存处发起与第一虚拟存储器地址相关联的查找信息的修改，以使得第一虚拟存储器地址对应于存储器的第二物理存储器地址。该方法还包括在数据高速缓存处修改与高速缓存行相关联的信息以指示该高速缓存行对应于第二物理存储器地址而非第一物理存储器地址。
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公开(公告)号：CN105580083A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053554.6
申请日：2014-09-18
申请人： 高通股份有限公司
发明人： X·董
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C7/1075 , G11C8/16 , G11C11/005 , G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C13/0002 , G11C17/02 , G11C17/14 , G11C2213/74 , G11C2213/79
摘要： 在一特定实施例中，一种设备包括具有多条源线和多个存取晶体管的基于电阻的存储器单元。该多个存取晶体管至多条源线的耦合配置编码数据值。
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公开(公告)号：CN105190757B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201480014106.5
申请日：2014-03-12
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G11C11/4076 , G06F17/50 , H01L27/108
CPC分类号： G11C7/22 , G06F3/061 , G06F3/0611 , G06F3/0629 , G06F12/00 , G06F17/5031 , G11C11/4076 , G11C29/023 , G11C29/50012 , G11C2029/0409 , G11C2207/2254
摘要： 一种特定方法包括在存储器设备处从处理器接收第一存储器访问请求。该方法还包括基于存储器设备的定时参数来处理第一存储器访问请求。该方法进一步包括在存储器设备处从处理器接收第二存储器访问请求。该方法还包括基于由第一存储器访问请求和第二存储器访问请求所标识的地址来修改存储器设备的定时参数以产生经修改定时参数。该方法进一步包括基于经修改定时参数来处理第二存储器访问请求。
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公开(公告)号：CN105009095A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480013145.3
申请日：2014-03-13
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G06F12/08
CPC分类号： G06F12/0802 , G06F12/08 , G06F12/0846 , G06F12/0851 , G06F12/0893 , G06F2212/1028 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G06F2212/225 , G11C11/005 , G11C11/1659 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C14/0081 , G11C2207/2245 , Y02D10/13
摘要： 混合高速缓存包括静态随机存取存储器(SRAM)部分和电阻性随机存取存储器部分。混合高速缓存的高速缓存线被配置成包括SRAM宏和电阻性随机存取存储器宏两者。混合高速缓存被配置成使得在每个高速缓存访问循环中SRAM宏在电阻性随机存储器宏之前被访问。在SRAM宏被访问时，较慢的电阻性随机存取存储器达到数据访问就绪状态。
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公开(公告)号：CN107112045B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201580051172.4
申请日：2015-09-09
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 诸系统和方法涉及对与标签阵列耦合的磁阻式随机存取存储器(MRAM)的读操作，该方法包括：接收索引和标签；基于该索引，访问标签阵列中的n个存储器位置，以及对于所访问的n个存储器位置中的每一个存储器位置，将存储在其中的数据与所接收到的标签进行比较；基于该索引，激活MRAM中的虚设字线；在该虚设字线的激活之后，如果该比较指示n个存储器位置中的一个存储器位置匹配，则生成与n个存储器位置中的该一个存储器位置相关联的命中信号；响应于该虚设字线的激活，获得用于读取由该索引指定的MRAM的MRAM位单元的稳定参考电压；在由该索引指定的MRAM单元之中，读取具有与提供该命中信号的标签阵列中的n个存储器位置中的该一个存储器位置对应的存储器位置的MRAM单元。
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公开(公告)号：CN105874440B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201480072129.1
申请日：2014-12-11
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G06F12/0873 , G06F12/0895
CPC分类号： G06F12/0833 , G06F3/0608 , G06F12/0873 , G06F12/0895 , G06F12/12 , G06F2206/1004 , Y02D10/13
摘要： 公开了用于对存储器进行碎片整理的系统和方法。在一特定实施例中，一种方法包括将存储在存储器的第一物理存储器地址处的数据从该存储器加载到数据高速缓存的高速缓存行。第一物理存储器地址被映射到第一虚拟存储器地址。该方法进一步包括在数据高速缓存处发起与第一虚拟存储器地址相关联的查找信息的修改，以使得第一虚拟存储器地址对应于存储器的第二物理存储器地址。该方法还包括在数据高速缓存处修改与高速缓存行相关联的信息以指示该高速缓存行对应于第二物理存储器地址而非第一物理存储器地址。
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公开(公告)号：CN106030541A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009492.3
申请日：2015-02-20
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G11C29/44 , G06F11/1048 , G06F11/1076 , G06F11/2053 , G06F12/0246 , G06F2212/7209 , G11C2029/4402
摘要： 公开了用于内核掩蔽动态随机存取存储器(DRAM)缺陷的系统、方法和计算机程序。一种这样的方法包括：检测并纠正与动态随机存取存储器(DRAM)中的物理地址相关联的单比特错误；从所述DRAM接收与所述物理地址相关联的错误数据；将所接收的错误数据存储在位于非易失性存储器中的故障地址表中；以及如果与所述物理地址相关联的错误的数量超过错误计数阈值，则停用与所述物理地址相对应的内核页。
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公开(公告)号：CN105874434A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071907.5
申请日：2014-12-11
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G06F11/076 , G06F11/1048 , G06F11/1076 , G06F12/00 , G06F13/16 , G06F13/1668 , G06F2201/88
摘要： 一种方法包括在计数器处存储指示在与第一地址相关联的数据中检测到比特差错的读操作的计数的第一值。该方法进一步包括响应于第一值超过第一阈值，使用耦合至存储器阵列的控制器来将第一地址重映射到第二地址。第一地址对应于存储器阵列的第一元件。第二地址对应于被包括在控制器内的存储器处的第二元件。重映射第一地址包括响应于接收到对位于第一地址处的数据的第一读请求，将从第一元件读取的第一值替换成从第二元件读取的第二值。
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