发明授权
- 专利标题： 光子晶体传感器结构及其制造方法
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申请号： CN201510868278.5申请日： 2015-12-01
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公开(公告)号： CN105651318B公开(公告)日： 2019-05-03
- 发明人: J·希尔瓦诺德索萨 , T·格里勒 , U·赫德尼格 , P·伊尔西格勒 , T·奈德哈特 , V·K·拉贾拉曼
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国诺伊比贝尔格
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国诺伊比贝尔格
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 郑立柱; 董典红
- 优先权： 14/557,584 2014.12.02 US
- 主分类号： G01D5/26
- IPC分类号： G01D5/26
摘要：
本申请涉及光子晶体传感器结构及其制造方法。公开了一种传感器以及制造传感器的方法。该传感器可以包括基底、光源、光学探测器、在基底中或者在基底之上的层结构中的多个光学空腔、以及处理电路，其中多个光学空腔可以被布置在光源和光学探测器之间的光学路径中，处理电路被耦合到光学探测器并且被配置为接收代表由光学探测器接收到的光学信号的信号。
公开/授权文献
- CN105651318A 光子晶体传感器结构及其制造方法 公开/授权日：2016-06-08