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公开(公告)号：CN105651318B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510868278.5
申请日：2015-12-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01D5/26
摘要： 本申请涉及光子晶体传感器结构及其制造方法。公开了一种传感器以及制造传感器的方法。该传感器可以包括基底、光源、光学探测器、在基底中或者在基底之上的层结构中的多个光学空腔、以及处理电路，其中多个光学空腔可以被布置在光源和光学探测器之间的光学路径中，处理电路被耦合到光学探测器并且被配置为接收代表由光学探测器接收到的光学信号的信号。
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公开(公告)号：CN106289386A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610287129.4
申请日：2016-05-03
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B3/0018 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0278 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00206 , G01N27/223 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003 , G01D21/02 , G01N27/121
摘要： 本发明涉及用于MEMS换能器的系统和方法。根据实施例，一种微机电系统(MEMS)换能器包括具有第一腔体的衬底，第一腔体从衬底后侧穿过衬底。MEMS换能器还包括：在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔的第一电极板；在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔并且通过间隔区域与穿孔的第一电极板间隔开的第二电极板；以及在穿孔的第一电极板与第二电极板之间的间隔区域中的气敏材料。气敏材料具有取决于目标气体的浓度的电气性质。
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公开(公告)号：CN106289386B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610287129.4
申请日：2016-05-03
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及用于MEMS换能器的系统和方法。根据实施例，一种微机电系统(MEMS)换能器包括具有第一腔体的衬底，第一腔体从衬底后侧穿过衬底。MEMS换能器还包括：在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔的第一电极板；在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔并且通过间隔区域与穿孔的第一电极板间隔开的第二电极板；以及在穿孔的第一电极板与第二电极板之间的间隔区域中的气敏材料。气敏材料具有取决于目标气体的浓度的电气性质。
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公开(公告)号：CN105651318A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510868278.5
申请日：2015-12-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01D5/26
CPC分类号： G01N21/59 , G01K11/00 , G01L7/086 , G01N21/3504 , G01N2201/062 , G02B6/12004 , G02B6/125 , G02B2006/12166
摘要： 本申请涉及光子晶体传感器结构及其制造方法。公开了一种传感器以及制造传感器的方法。该传感器可以包括基底、光源、光学探测器、在基底中或者在基底之上的层结构中的多个光学空腔、以及处理电路，其中多个光学空腔可以被布置在光源和光学探测器之间的光学路径中，处理电路被耦合到光学探测器并且被配置为接收代表由光学探测器接收到的光学信号的信号。
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