发明公开
- 专利标题: 一种半导体探测器
- 专利标题(英): Semiconductor detector
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申请号: CN201610187826.2申请日: 2013-04-26
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公开(公告)号: CN105676264A公开(公告)日: 2016-06-15
- 发明人: 李元景 , 张岚 , 李玉兰 , 刘以农 , 傅楗强 , 江灏 , 邓智 , 薛涛 , 张韡 , 李军
- 申请人: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
- 专利权人: 清华大学,同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 李相雨
- 分案原申请号: 2013101493976 2013.04.26
- 主分类号: G01T1/36
- IPC分类号: G01T1/36
摘要:
本发明提供一种半导体探测器,该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极;所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面;所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜;所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上,所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上,所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上;所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比,所述半导体探测器能够提高能量分辨率。