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公开(公告)号：CN105759303A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610188180.X
申请日：2013-04-26
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/36
CPC分类号： G01T1/366
摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN105676264A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610187826.2
申请日：2013-04-26
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/36
CPC分类号： G01T1/366
摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN101340568B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200710118201.1
申请日：2007-07-02
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
摘要： 一种数据采集系统，包括：信号处理装置，根据同步信号产生选择信号，以选择相应的探测设备对射线进行探测；数据变换装置，将所述探测设备所探测的信号变换成数字数据，并缓存在所述信号处理装置中；以及通信装置，与图像处理设备连接，并将所述信号处理装置中缓存的数字数据通过所述连接传输到所述图像处理设备。本发明的系统采用嵌入式设备在工业环境中通过高速总线来控制和采集远端数据，此数据采集系统可根据探测设备模块的数量增加进行扩展，同时能够保证稳定的数据采集和变换，并可靠地传输数据。
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公开(公告)号：CN101340568A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200710118201.1
申请日：2007-07-02
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
摘要： 一种数据采集系统，包括：信号处理装置，根据同步信号产生选择信号，以选择相应的探测设备对射线进行探测；数据变换装置，将所述探测设备所探测的信号变换成数字数据，并缓存在所述信号处理装置中；以及通信装置，与图像处理设备连接，并将所述信号处理装置中缓存的数字数据通过所述连接传输到所述图像处理设备。本发明的系统采用嵌入式设备在工业环境中通过高速总线来控制和采集远端数据，此数据采集系统可根据探测设备模块的数量增加进行扩展，同时能够保证稳定的数据采集和变换，并可靠地传输数据。
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公开(公告)号：CN105242300B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510417228.5
申请日：2015-07-15
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/24
摘要： 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN103913763B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310004796.3
申请日：2013-01-07
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01T1/36
摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
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公开(公告)号：CN105242300A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510417228.5
申请日：2015-07-15
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/24
摘要： 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN104111470A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410336256.X
申请日：2014-07-15
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/24
摘要： 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN103972323A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310038954.7
申请日：2013-01-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/115 , G01T1/241
摘要： 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
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公开(公告)号：CN103235332A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310149397.6
申请日：2013-04-26
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/36
摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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