一种半导体探测器

    公开(公告)号:CN105676264A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610187826.2

    申请日:2013-04-26

    IPC分类号: G01T1/36

    CPC分类号: G01T1/366

    摘要: 本发明提供一种半导体探测器,该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极;所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面;所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜;所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上,所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上,所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上;所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比,所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

    半导体探测器的信号处理方法及装置

    公开(公告)号:CN105242300B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201510417228.5

    申请日:2015-07-15

    IPC分类号: G01T1/24

    摘要: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置,包括:获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系;根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间,所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间;在半导体探测器数据采集时,根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷,降低了本底噪声的影响,进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率,改善了峰康比。

    辐射探测器及辐射探测装置

    公开(公告)号:CN103913763B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201310004796.3

    申请日:2013-01-07

    IPC分类号: G01T1/36

    摘要: 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括:用于感测辐射的半导体晶体,所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面;位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极;位于半导体晶体的底部表面的第二阳极;以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性,从而改善能量分辨率。

    半导体探测器的信号处理方法及装置

    公开(公告)号:CN105242300A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510417228.5

    申请日:2015-07-15

    IPC分类号: G01T1/24

    CPC分类号: G01T1/247 G01T1/241 H04N5/32

    摘要: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置,包括:获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系;根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间,所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间;在半导体探测器数据采集时,根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷,降低了本底噪声的影响,进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率,改善了峰康比。

    接口接地弹片以及具有该接口接地弹片的电子设备

    公开(公告)号:CN104427733A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201310366166.0

    申请日:2013-08-21

    IPC分类号: H05F3/02 H05K1/02 H05K9/00

    摘要: 本发明涉及接口接地弹片以及具有该接口接地弹片的电子设备。本发明的接口接地弹片具有:第一部分,由导电材料构成,并且,具有与预定的接口相同形状的开口;以及第二部分,由导电材料构成并且其主体为筒状,筒状主体的截面形状与预定的接口的形状相同,所述第二部分以所述筒状主体的一端与所述第一部分的开口对应的方式安装于所述第一部分。根据本发明的接口接地弹片,能够使接口相对于机壳的连接固定变得更加可靠,此外,能够克服接口和机壳之间接触面积过小所造成的不能够可靠地导电的问题,所以,能够有效地消除接口受到人体带的静电以及与其连接的信号线或者充电线带来的噪声的干扰。

    半导体探测器的信号处理方法及装置

    公开(公告)号:CN104111470A

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201410336256.X

    申请日:2014-07-15

    IPC分类号: G01T1/24

    CPC分类号: G01T1/247 G01T1/241 H04N5/32

    摘要: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置,包括:获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系;根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间,所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间;在半导体探测器数据采集时,根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷,降低了本底噪声的影响,进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率,改善了峰康比。

    辐射探测器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103972323A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201310038954.7

    申请日:2013-01-31

    IPC分类号: H01L31/115 H01L31/0224

    CPC分类号: H01L31/115 G01T1/241

    摘要: 公开了一种辐射探测器,该辐射探测器包括:用于感测辐射的半导体晶体,所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面;位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极;以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极,其中,阳极电极为条带形状,阴极电极平面形状,并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。

    气体辐射探测器及辐射成像系统

    公开(公告)号:CN102183776B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201010621615.8

    申请日:2008-05-09

    IPC分类号: G01T1/185

    摘要: 一种气体辐射探测器,包括:电极对,该电极对包括多个子电极对,所述多个子电极对沿射线的入射方向排列。所述多个子电极对分别探测不同能区的射线。当前的发明在同一个气体室内实现了多能射线同时测量的功能,材料成本低,几何结构简单,操作方便,使用寿命长,可根据应用的射线能量区间来灵活调整气体种类和压力,以达到高的探测效率,解决了双能固体探测器的低能探测器太薄,不易制备的难题,而且同一气体室保证了各路信号的一致性高,后续数据处理简单。该发明可以广泛应用于辐射成像领域。