发明授权
CN105742957B 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法
-
申请号： CN201610172695.0申请日： 2016-03-24
-
公开(公告)号： CN105742957B公开(公告)日： 2018-12-25
- 发明人: 王亚楠 , 李耀耀 , 王庶民 , 曹春芳
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室
- 代理机构： 上海泰能知识产权代理事务所
- 代理商 黄志达
- 主分类号： H01S5/10
- IPC分类号： H01S5/10
摘要：
本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。
公开/授权文献
- CN105742957A 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法 公开/授权日：2016-07-06