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公开(公告)号：CN107123714B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710356260.6
申请日：2017-05-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。
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公开(公告)号：CN109427538A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710735726.3
申请日：2017-08-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层的注入面键合；沿缺陷层剥离所述牺牲层，以将键合有薄膜盖层的受体衬底与供体衬底分离，获得受体衬底-薄膜盖层异质结构。通过上述方案，本发明中引入含铝化合物等易被化学腐蚀的材料作为牺牲层，层裂之后借用含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的异质结构和供体衬底表面洁净，可以成功的将薄膜盖层转移到受体衬底上，在提供柔性衬底的同时，供体衬底材料还可以重复利用。
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公开(公告)号：CN107146834A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710304778.5
申请日：2017-05-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H01L33/0054 , B82Y40/00 , C09K11/66
摘要： 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN105742957A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610172695.0
申请日：2016-03-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/1082
摘要： 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103367567B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310264472.3
申请日：2013-06-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN103367123B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310264486.5
申请日：2013-06-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN104766895A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510151566.9
申请日：2015-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料多结太阳能电池结构，采用基于稀铋磷化物材料取代常规锗材料作为红外波段0.46-1.0eV结太阳能电池。在磷化物中掺入少量铋原子，会在禁带内产生新的杂质能带，其室温发光波长随铋的掺入浓度改变在1.2-2.7微米内可调，通过改变铋的浓度和相应厚度，可以吸收和转换相应波段的太阳光。与常规的采用锗作为0.67eV结太阳能电池技术方案相比，本发明可以有效减小多结太阳能电池中低能段光子能量的透射损耗和热损耗，提高太阳能转换效率。
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公开(公告)号：CN103700660A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310676287.5
申请日：2013-12-11
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y10/00
摘要： 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成，设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够更好的满足10nm以下技术节点对器件性能提出的更高要求。
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公开(公告)号：CN111243960A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010064536.5
申请日：2020-01-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本申请提供一种半导体纳米线及场效应晶体管的制备方法，该半导体纳米线的制备方法包括以下步骤：获取硅衬底；在硅衬底上制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜；采用电子束光刻技术或纳米压印技术中的任意一种结合湿法刻蚀技术、电感耦合等离子体刻蚀技术或反应离子刻蚀技术中的任意一种对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜进行处理获得半导体纳米线。本申请实施例提供的半导体纳米线的制备方法能够精确控制半导体纳米线的生长位置，得到尺寸较小，分布均匀且整齐有序的纳米线阵列。
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公开(公告)号：CN105742957B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610172695.0
申请日：2016-03-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01S5/10
摘要： 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。
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