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公开(公告)号：CN107039884A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/341
摘要： 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
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公开(公告)号：CN103830847B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： A61N5/067
摘要： 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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公开(公告)号：CN106744657A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611126275.5
申请日：2016-12-09
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0015 , B81C1/00349 , B81C1/00373
摘要： 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
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公开(公告)号：CN104062575B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410307562.0
申请日：2014-06-30
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，改变激光器自身的输出功率；S3：测量不同反馈强度下激光器的电流-功率关系，得到多条I-P曲线；S4：由所述I-P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5：通过外微分量子效率与外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出激光器的内量子效率和内损耗。本发明具有只需要测试一个激光器的特点，从而消除了多个激光器测量带来的离散误差，同时带来方便、快捷、成本低、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN100405681C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610030991.3
申请日：2006-09-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种旨在获得低阈值电流密度、高边模抑制比的可调谐分布反馈量子级联激光器的波导和光栅结构，并发明了实现设计结构要求的激光器一级光栅的制备方法。所述的激光器波导与光栅结构是一种利用一个深的一级光栅和一个在光栅下方的薄的重掺杂半导体层构成波导中的限制结构。所述的光栅腐蚀技术是利用InGaAs/InP结构作为光栅的腐蚀牺牲层，选择不同的腐蚀液配比，获得深度大范围可调，精度可控的光栅结构。
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公开(公告)号：CN107146834A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710304778.5
申请日：2017-05-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H01L33/0054 , B82Y40/00 , C09K11/66
摘要： 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN105742957A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610172695.0
申请日：2016-03-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/1082
摘要： 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104766895A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510151566.9
申请日：2015-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料多结太阳能电池结构，采用基于稀铋磷化物材料取代常规锗材料作为红外波段0.46-1.0eV结太阳能电池。在磷化物中掺入少量铋原子，会在禁带内产生新的杂质能带，其室温发光波长随铋的掺入浓度改变在1.2-2.7微米内可调，通过改变铋的浓度和相应厚度，可以吸收和转换相应波段的太阳光。与常规的采用锗作为0.67eV结太阳能电池技术方案相比，本发明可以有效减小多结太阳能电池中低能段光子能量的透射损耗和热损耗，提高太阳能转换效率。
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公开(公告)号：CN103700660A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310676287.5
申请日：2013-12-11
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y10/00
摘要： 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成，设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够更好的满足10nm以下技术节点对器件性能提出的更高要求。
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公开(公告)号：CN102540475A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
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