发明公开
- 专利标题: 一种铜锌锡硫靶材的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method for copper-zinc-tin sulfide target
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申请号: CN201510984086.0申请日: 2015-12-24
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公开(公告)号: CN105821376A公开(公告)日: 2016-08-03
- 发明人: 郝瑞亭 , 刘思佳 , 任洋 , 赵其琛 , 王书荣
- 申请人: 云南师范大学
- 申请人地址: 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号云南师范大学太阳能研究所
- 专利权人: 云南师范大学
- 当前专利权人: 云南师范大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号云南师范大学太阳能研究所
- 主分类号: C23C14/06
- IPC分类号: C23C14/06 ; C23C14/35 ; H01L31/032 ; H01L21/363
摘要:
本发明制备一种铜锌锡硫薄膜太阳电池吸收层靶材,其特征在于,所述靶材中Cu:Zn:Sn:S的摩尔配比为2:1:1:4,其中,所述靶材为Cu2ZnSnS4相。本发明还提供所述靶材的制备方法,以及所述靶材在制备薄膜太阳电池吸收层中的应用,通过磁控溅射可直接制备得到Cu2ZnSnS4薄膜。本发明工艺简单、成本低、制成的靶材组分均匀、致密性好,为磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池吸收层奠定基础。
IPC分类: