发明公开
- 专利标题: 一种SrFeO2.5磁性薄膜及其制备方法
- 专利标题(英): SrFeO2.5 magnetic thin film and preparation method therefor
-
申请号: CN201610202051.1申请日: 2016-03-31
-
公开(公告)号: CN105845436A公开(公告)日: 2016-08-10
- 发明人: 谈国强 , 乐忠威 , 杨玮 , 任慧君 , 夏傲
- 申请人: 陕西科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市未央区大学园1号
- 专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市未央区大学园1号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 岳培华
- 主分类号: H01F41/24
- IPC分类号: H01F41/24 ; H01F41/22 ; H01F10/18
摘要:
本发明提供了一种SrFeO2.5磁性薄膜及其制备方法,将Sr(NO3)2和Fe(NO3)3·H2O溶解于乙二醇和醋酸酐的混合液中,搅拌均匀,得到SrFeO2.5前躯液。采用旋涂法和逐层退火的工艺,在基片上制得SrFeO2.5磁性薄膜。本发明设备要求简单,实验条件容易达到,化学组分精确可控,制备的SrFeO2.5磁性薄膜均匀性较好,具有正交结构。当测试频率为1kHz时,该薄膜的介电常数为425;当电场为100kV/cm时,该薄膜的漏电流密度为1.07×10?4A/cm2,室温下,该薄膜的饱和磁化值为5.4emu/cm3,剩余磁化值为0.45emu/cm3。