发明公开
- 专利标题: 积体超导体装置及其制造方法
- 专利标题(英): Integrated superconductor device and method of fabrication
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申请号: CN201480071549.8申请日: 2014-11-10
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公开(公告)号: CN105849888A公开(公告)日: 2016-08-10
- 发明人: 康妮·P·王 , 保罗·墨菲 , 保罗·沙利文
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 杨贝贝; 臧建明
- 优先权: 14/077,901 2013.11.12 US
- 国际申请: PCT/US2014/064739 2014.11.10
- 国际公布: WO2015/116289 EN 2015.08.06
- 进入国家日期: 2016-06-29
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L21/28
摘要:
一种积体超导体装置可包含衬底基底,和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述中间层上的定向超导体层,和安置于所述定向超导体层的一部分上的导电带。所述导电带可在其下方界定所述定向超导体层的超导体区,和邻近于所述超导体区的所述定向超导体层的暴露区。
公开/授权文献
- CN105849888B 积体超导体装置及其制造方法 公开/授权日:2018-12-04
IPC分类: