发明授权
- 专利标题: 具有空间原子层沉积的自对准式双图案化
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申请号: CN201580004367.3申请日: 2015-01-13
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公开(公告)号: CN105917445B公开(公告)日: 2020-05-22
- 发明人: 李宁 , V·恩古耶 , M·巴尔西努 , 夏立群 , 田中启一 , S·D·马克斯
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖
- 优先权: 61/926,589 2014.01.13 US
- 国际申请: PCT/US2015/011185 2015.01.13
- 国际公布: WO2015/106261 EN 2015.07.16
- 进入国家日期: 2016-07-12
- 主分类号: H01L21/205
- IPC分类号: H01L21/205
摘要:
提供了自对准式双图案化方法,所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺,在所述单个批处理腔室中,基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动,使得每个区段独立地具有工艺条件。
公开/授权文献
- CN105917445A 具有空间原子层沉积的自对准式双图案化 公开/授权日:2016-08-31
IPC分类: