公开(公告)号：CN116438328A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180072292.8

申请日：2021-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群 ,  S·恩戈

IPC: C23C16/44

Abstract: 描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基板可在介电膜沉积在此基板上之后从基板处理腔室移除。在移除具有介电膜的最后一个基板之后，蚀刻等离子体流出物可流入基板处理腔室中。蚀刻等离子体流出物可包括大于或约500sccm的NF3等离子体流出物，及大于或约1000sccm的O2等离子体流出物。

公开(公告)号：CN110178201B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880006781.1

申请日：2018-01-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闫文波 ,  聪·郑 ,  李宁 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  夏立群 ,  玛丽贝尔·马尔多纳多·加西亚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3065

Abstract: 用于形成氮化硅膜的处理方法包含以下步骤：在低于或等于约250℃的温度下将金属表面暴露于硅前驱物、含氮反应物及含氢等离子体，以形成具有低蚀刻率的氮化硅膜，而不会损坏所述金属表面。

公开(公告)号：CN108780735B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201780015644.X

申请日：2017-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 用于形成间隔件的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部、及侧壁上沉积膜，以及对膜加工，以改变特征的顶部与底部上的膜的性质，而可以相对于特征的侧壁上的膜对特征的顶部与底部上的膜选择性蚀刻。

公开(公告)号：CN115989335A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052804.4

申请日：2021-06-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群 ,  R·熊

IPC: C23C16/30

Abstract: 形成含硅碳材料的示例性方法可以包括以下步骤：使含硅氧碳前驱物流进半导体处理腔室的处理区中。基板可安放在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括以下步骤：在含硅碳前驱物的处理区内形成等离子体。等离子体可以小于15MHz(例如，13.56MHz)的频率形成。方法可包括以下步骤：在基板上沉积含硅碳材料。所沉积的含硅碳材料可由低于或约3.5的介电常数和大于或约3Gpa的硬度来表征。

公开(公告)号：CN111356785A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074102.4

申请日：2018-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  马克·沙丽 ,  大卫·汤普森 ,  夏立群

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 描述了用于在金属表面上沉积金属氧化物层的方法。所述方法包括将基板暴露于分开剂量的金属前驱物和醇，所述金属前驱物不含有金属-氧键。这些方法不会氧化下面的金属层。

公开(公告)号：CN110178201A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880006781.1

申请日：2018-01-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闫文波 ,  聪·郑 ,  李宁 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  夏立群 ,  玛丽贝尔·马尔多纳多·加西亚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3065

Abstract: 用于形成氮化硅膜的处理方法包含以下步骤：在低于或等于约250℃的温度下将金属表面暴露于硅前驱物、含氮反应物及含氢等离子体，以形成具有低蚀刻率的氮化硅膜，而不会损坏所述金属表面。

公开(公告)号：CN105023856B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201510133606.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  闫文波 ,  V·恩古耶 ,  C·特林 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群

IPC: H01L21/66

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065

Abstract: 本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。

公开(公告)号：CN101088150B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200580038908.0

申请日：2005-11-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 米哈拉·巴尔塞努 ,  郑起范 ,  黄丽华李 ,  夏立群 ,  王荣平 ,  蒂瑞克·R·威蒂 ,  莱维斯·斯蒂恩 ,  马丁·J·西蒙斯 ,  希琴·姆塞德 ,  迈克尔·C·克蔓

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3185 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板上形成应力薄膜。所述基板置放在处理区中，且等离子体由所述处理区中所提供的处理气体形成，所述处理气体具有含硅气体与含氮气体。亦可再加入稀释气体，例如，氮。沉积后的应力材料可暴露于紫外线照射或电子束，以增大所沉积材料的应力值。作为附加或替换，氮气等离子体处理可用于增大沉积期间材料的应力值。还描述了用于沉积应力材料的脉冲等离子体方法。

公开(公告)号：CN101743631B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200880024500.1

申请日：2008-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-U·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·威蒂 ,  H·M·塞德

IPC: H01L21/44

CPC classification number: C23C16/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明揭示一种形成含硼膜的方法。该方法包含：将一含硼前体导入一腔室内，以及通过热分解工艺或等离子工艺沉积一包含硼-硼键结的网络于一基板上。该网络可以被后处理，以从该网络去除氢且增加最终含硼膜的应力。该含硼膜具有介于约-10Gpa与约10Gpa之间的应力，并且可以作为硼源层或诱导伸张层。

公开(公告)号：CN101097853A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126049.1

申请日：2007-06-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 瑞维克·巴哈迪亚 ,  夏立群 ,  查德·彼得森 ,  海彻姆·马萨德

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。