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公开(公告)号：CN111430224A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010350832.1
申请日：2015-01-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/455
摘要： 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。
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公开(公告)号：CN104900513A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510098387.3
申请日：2015-03-05
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/36 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或碳中的至少一个的第二反应性气体的等离子体，以及重复所述序列以在所述衬底的每一个上形成包含碳氮化硅或碳氮氧化硅的所述电介质膜。
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公开(公告)号：CN102906859A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024727.8
申请日：2011-05-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/45523 , H01L21/02112 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/32139
摘要： 提供用于以富含硼的膜处理基板的方法。将富含硼的材料的经图案化层沉积在基板上，且所述富含硼的材料的经图案化层可用来作为蚀刻终止物。通过改变化学成分，可针对不同的蚀刻化学物质来最优化富含硼的材料的选择性及蚀刻速率。可将富含硼的材料以多层沉积在层堆叠基板上，并以一图案进行蚀刻。可接着以多重蚀刻化学物质蚀刻暴露的层堆叠。各个富含硼的层可具有对于多重蚀刻化学物质为最优化的不同化学成分。
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公开(公告)号：CN111430224B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010350832.1
申请日：2015-01-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/455
摘要： 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。
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公开(公告)号：CN105023856A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510133606.7
申请日：2015-03-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： C23C16/45534 , C23C16/045 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3065
摘要： 本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。
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公开(公告)号：CN101496145B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780017771.X
申请日：2007-06-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L29/66583 , H01L29/7843
摘要： 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层之间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。
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公开(公告)号：CN104900578A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510100266.8
申请日：2015-03-06
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31116
摘要： 本文中揭示的实施例一般是关于在高深宽比特征中形成电介质材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将基板置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件。所述方法进一步包括执行以下序列：在基板表面上及数个沟槽中的每一个内侧沉积电介质材料层，在此情况下，电介质材料层位于每一沟槽底部及侧壁上；并去除安置在基板表面上的电介质材料层的一部分，在此情况下，每一沟槽的开口被扩大。重复进行所述序列，直至利用电介质材料无缝充填了沟槽为止。
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公开(公告)号：CN103503120A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021915.X
申请日：2012-04-27
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02074 , H01L21/76883
摘要： 在此提供一种用于从半导体晶片的含铜与介电质的结构移除氧化铜的方法。所述含铜与介电质的结构可通过化学机械平坦化处理（CMP）平坦化，并且通过所述方法处理所述结构而移除氧化铜与CMP残余物。在氢气（H2）与紫外线（UV）环境中的退火移除氧化铜，而脉冲式氨等离子体移除CMP残余物。
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