- 专利标题: 一种用于NAND FLASH的数据缓存方法
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申请号: CN201610232327.0申请日: 2016-04-14
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公开(公告)号: CN105930282B公开(公告)日: 2018-11-06
- 发明人: 赵微 , 张志永 , 宗宇
- 申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- 专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 陈鹏
- 主分类号: G06F12/0897
- IPC分类号: G06F12/0897
摘要:
一种用于NAND FLASH的数据缓存方法,首先将缓存区cache分为块级缓存、页级缓存,然后对数据进行数据读写时,如果块级缓存或者页级缓存是否存在当前数据,则直接完成数据读写,否则从FLASH中读取数据或者将数据缓存区中空闲空间分配给当前数据并写入FLASH,若缓存没有空闲空间,则通过替换算法确定替换块并将替换块中数据写入FLASH中,最后释放替换块,重新写入新的数据,进而完成数据缓存。本发明方法通过采用块缓存和页缓存结合的方法使得随机读写访问中缓存的命中率得到提高,并提出了一种高效替换算法,在减小缓存映射表大小的同时,还提高缓存区的空间利用率,具有较好的使用价值。
公开/授权文献
- CN105930282A 一种用于NANDFLASH的数据缓存方法 公开/授权日:2016-09-07
IPC分类: