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公开(公告)号：CN105930282B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610232327.0
申请日：2016-04-14
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/0897
摘要： 一种用于NAND FLASH的数据缓存方法，首先将缓存区cache分为块级缓存、页级缓存，然后对数据进行数据读写时，如果块级缓存或者页级缓存是否存在当前数据，则直接完成数据读写，否则从FLASH中读取数据或者将数据缓存区中空闲空间分配给当前数据并写入FLASH，若缓存没有空闲空间，则通过替换算法确定替换块并将替换块中数据写入FLASH中，最后释放替换块，重新写入新的数据，进而完成数据缓存。本发明方法通过采用块缓存和页缓存结合的方法使得随机读写访问中缓存的命中率得到提高，并提出了一种高效替换算法，在减小缓存映射表大小的同时，还提高缓存区的空间利用率，具有较好的使用价值。
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公开(公告)号：CN104576640B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410815637.6
申请日：2014-12-23
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种IO Pad的ESD静电防护结构，包括衬底、两个P型晶体管、四个N型晶体管、隔离电阻、两个PAD通道以及N型阱区。本发明采用非ESD Device器件构成防护器件；采用手指状结构并联MOS管单元构成MOS管并联组，多MOS管并联组并行布局，构成大尺寸静电防护MOS器件；版图布局采用双Pad通道，与ESD防护N型MOS器件区域、P型MOS器件相间隔分布。本发明的IO Pad的ESD静电防护结构，与工艺厂商提供IO Pad的静电防护结构相比，能减少工艺流程，兼容其他工艺设计，达到等同静电防护性能同时，静电防护器件面积更小，成本更低，且便于为提升防静电能力对静电防护器件进行改进。
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公开(公告)号：CN105930282A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610232327.0
申请日：2016-04-14
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/0897
CPC分类号： G06F12/0897
摘要： 一种用于NAND FLASH的数据缓存方法，首先将缓存区cache分为块级缓存、页级缓存，然后对数据进行数据读写时，如果块级缓存或者页级缓存是否存在当前数据，则直接完成数据读写，否则从FLASH中读取数据或者将数据缓存区中空闲空间分配给当前数据并写入FLASH，若缓存没有空闲空间，则通过替换算法确定替换块并将替换块中数据写入FLASH中，最后释放替换块，重新写入新的数据，进而完成数据缓存。本发明方法通过采用块缓存和页缓存结合的方法使得随机读写访问中缓存的命中率得到提高，并提出了一种高效替换算法，在减小缓存映射表大小的同时，还提高缓存区的空间利用率，具有较好的使用价值。
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公开(公告)号：CN104576640A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410815637.6
申请日：2014-12-23
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种IO Pad的ESD静电防护结构，包括衬底、两个P型晶体管、四个N型晶体管、隔离电阻、两个PAD通道以及N型阱区。本发明采用非ESD Device器件构成防护器件；采用手指状结构并联MOS管单元构成MOS管并联组，多MOS管并联组并行布局，构成大尺寸静电防护MOS器件；版图布局采用双Pad通道，与ESD防护N型MOS器件区域、P型MOS器件相间隔分布。本发明的IO Pad的ESD静电防护结构，与工艺厂商提供IO Pad的静电防护结构相比，能减少工艺流程，兼容其他工艺设计，达到等同静电防护性能同时，静电防护器件面积更小，成本更低，且便于为提升防静电能力对静电防护器件进行改进。
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公开(公告)号：CN117976013A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311523868.5
申请日：2023-11-15
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种带Forming保护的RRAM存储器写电路，旨在解决现有的低电压CMOS器件设计的RRAM存储器的写电路在确保写操作过程中不出现超过晶体管耐压能力的可靠性不足的问题。本发明包括：阻变器件、选通NMOS管和选通开关组；阻变器件的两端分别连接位线BL和选通NMOS管的漏级；选通NMOS管的源极连接源线SL；所述选通开关组包括第一部分和第二部分；所述位线BL连接至第一部分；所述源线SL连接至第二部分。本发明降低了电路功耗，使电路可以通过采用低压小线宽晶体管提升电路的集成度和读写速度，使新型存储器RRAM可以采用更小工艺节点，实现更大容量、更高速度和更低功耗。
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公开(公告)号：CN114221297A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111435849.8
申请日：2021-11-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H02H5/04
摘要： 本发明公开了一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路，本发明电路包括启动电路、温度监测电路和输出级电路，采用使能信号控制电路的开启与关闭。启动电路用于使电路摆脱简并偏置点，温度监测电路监控芯片的温度，温度监测电路的输出与输出级电路连接，输出级电路输出过温控制信号，当芯片温度上升到过温开启阈值点时，过温控制信号发生跳变，控制芯片不再工作，从而使得芯片降温，同时，本发明电路还具有热滞回功能，当芯片温度下降到过温关断阈值点时，芯片重新正常工作，此外，本发明在温度监测电路中设计了电压反馈结构，防止过温控制信号跳变时发生热振荡现象，同时为电路产生了热滞回区间。
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公开(公告)号：CN107832234B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710666604.3
申请日：2017-08-07
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 一种用于NAND FLASH的日志块快速命中方法，首先在系统内存中创建LOPB，在向LOG块写数据的同时不断向LOPB中添加LPA，在读数据过程中，根据目标扇区的LBA地址LADDR，计算其页偏移地址，查找相应的LOPB的LPA，从某结点开始遍历，能够快速准确找到存放与目标LADDR相同页偏移地址的日志块中页地址，进一步根据找到的页冗余区的地址信息计算该页中是否命中目标LADDR。本发明方法降低系统内存的消耗同时能够快速命中日志块，提高系统响应速度，减少查找日志块的资源开销和时间消耗，提升了闪存处理器的性能，对系统内存资源较为宝贵的片上系统具有实际意义。
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公开(公告)号：CN105589767B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法,包括以下步骤:、将NAND FLASH内的所有块通过级表、二级表和三级表进行映射管理;二、系统上电,加载级表、二级表和三级表,恢复系统工作状态;三、依据表中数据,判断在数据更新过程中是否发生异常掉电;四、当NAND Flash存储的信息发生改变时,对级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新级表、新二级表或新三级表被成功写入后,再擦除原级表、原二级表或原三级表,且这些表在可查的地址范围内,因此系统在掉电重新上电后,系统完整保留了各表中的数据,能够根据各表中的数据,对系统状态进行恢复。
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公开(公告)号：CN105589767A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC分类号： G06F11/1448 , G06F12/16
摘要： 一种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法，包括以下步骤：一、将NAND FLASH内的所有块通过一级表、二级表和三级表进行映射管理；二、系统上电，加载一级表、二级表和三级表，恢复系统工作状态；三、依据表中数据，判断在数据更新过程中是否发生异常掉电；四、当NAND Flash存储的信息发生改变时，对一级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新一级表、新二级表或新三级表被成功写入后，再擦除原一级表、原二级表或原三级表，且这些表在可查的地址范围内，因此系统在掉电重新上电后，系统完整保留了各表中的数据，能够根据各表中的数据，对系统状态进行恢复。
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公开(公告)号：CN103092766B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210595077.9
申请日：2012-12-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明公开一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法，该方法包括局部均衡实现方法及全局均衡实现方法，该方法根据NAND FLASH总块数及系统性能需求，按照分配为LOG块，针对每个LOG块的擦写次数，优先分配擦写次数最低的LOG块作为新数据的存储块以实现LOG块内的局部均衡实现方法；并通过将数据块中擦写次数相对较少的数据块记录到COLD-DATA-POOL中，判断比较等步骤实现全局均衡，本方法可有效避免因COLD-DATA导致的对NAND FLASH造成的擦除次数不均衡，可有效提高NAND FLASH的使用寿命。
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