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发明授权
CN105934532B 磁控溅射用靶 失效 - 权利终止

磁控溅射用靶
摘要：
本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶，其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4～10原子％的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr：30原子％以上、Co：70原子％以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。
摘要（英）：

A sputtering target is that having (1) a Co—Pt magnetic phase including Co and Pt, wherein Pt is included at a proportion of 4 atomic % to 10 atomic %; (2) a Co—Cr—Pt nonmagnetic phase including Co, Cr and Pt, wherein Co and Cr are included at proportions of 30 atomic % or more of Cr and 70 atomic % or less of Co; and (3) an oxide phase including finely dispersed metal oxides.

公开/授权文献
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