磁控溅射用靶
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105934532A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201480059875.7

    申请日:2014-10-28

    IPC分类号: C23C14/34 G11B5/851

    摘要: 本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶,其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4~10原子%的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr:30原子%以上、Co:70原子%以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。

    磁控溅射用靶
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105934532B

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201480059875.7

    申请日:2014-10-28

    IPC分类号: C23C14/34 G11B5/851

    摘要: 本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶,其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4~10原子%的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr:30原子%以上、Co:70原子%以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。