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公开(公告)号:CN105934532A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201480059875.7
申请日:2014-10-28
申请人: 田中贵金属工业株式会社
摘要: 本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶,其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4~10原子%的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr:30原子%以上、Co:70原子%以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。
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公开(公告)号:CN114574729A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202111398955.3
申请日:2021-11-23
申请人: 田中贵金属工业株式会社
IPC分类号: C22C5/04 , C22C32/00 , C22C1/05 , B22F1/142 , B22F1/145 , C03B5/225 , C03B5/187 , C03B5/43 , C03B37/095
摘要: 本发明提供强化铂合金和强化铂合金的制造方法以及玻璃制造装置。本发明涉及在由Pt或PtRh合金构成的基体中分散有由添加元素的氧化物构成的分散粒子的强化铂合金。该强化铂合金必须包含0.04质量%以上且0.25质量%以下的Zr作为添加元素,余量由所述基体的构成金属和氧以及不可避免的杂质构成。另外,本发明的强化铂合金的特征在于,基于1400℃下应力10MPa的高温蠕变试验的蠕变断裂时间为100小时以上,且常温拉伸试验中的断裂伸长率为35%以上。本发明是均衡地具有强度和柔软性这样的原本相反的特性的铂系材料。本发明的强化铂合金作为玻璃制造装置等的构成材料有用,能够有效地避免使用过程中可能发生的破裂等损伤。
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公开(公告)号:CN105934532B
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201480059875.7
申请日:2014-10-28
申请人: 田中贵金属工业株式会社
摘要: 本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶,其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4~10原子%的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr:30原子%以上、Co:70原子%以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。
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