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公开(公告)号：CN113228208A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980071989.6
申请日：2019-10-30
申请人： 田中贵金属工业株式会社
摘要： 本发明提供具有2.00kOe以上的矫顽力Hc且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的CoPt‑氧化物系的面内磁化膜。本发明是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜(10)，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，相对于面内磁化膜(10)的金属成分的合计，含有55原子％以上且小于95原子％的金属Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金属Pt，相对于面内磁化膜(10)的整体，含有10体积％以上且42体积％以下的所述氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下。
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公开(公告)号：CN105934532A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480059875.7
申请日：2014-10-28
申请人： 田中贵金属工业株式会社
摘要： 本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶，其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4～10原子％的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr：30原子％以上、Co：70原子％以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。
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公开(公告)号：CN113228208B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201980071989.6
申请日：2019-10-30
申请人： 田中贵金属工业株式会社
摘要： 本发明提供具有2.00kOe以上的矫顽力Hc且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的CoPt‑氧化物系的面内磁化膜。本发明是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜(10)，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，相对于面内磁化膜(10)的金属成分的合计，含有55原子％以上且小于95原子％的金属Co，含有大于5原子％且45原子％以下的金属Pt，相对于面内磁化膜(10)的整体，含有10体积％以上且42体积％以下的所述氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下。
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公开(公告)号：CN117980526A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280059213.4
申请日：2022-08-08
申请人： 田中贵金属工业株式会社
摘要： 本发明提供含硬质氮化物的溅射靶及其制造方法，该含硬质氮化物的溅射靶能够防止比较粗大的氧化锆粒子的混入所致的溅射中弧光的产生，能够抑制成膜时的颗粒产生。一种含硬质氮化物的溅射靶，其特征在于，该溅射靶由含有Fe或Co的合金相以及含有选自AlN、BN、Cr2N、Si3N4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN和它们的任意组合的硬质氮化物的非磁性相构成，以金属Zr进行测定时的Zr杂质浓度被限制在1000ppm以下，在3kgf的载荷条件下测定的维氏硬度Hv为200以上且600以下。
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公开(公告)号：CN105934532B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201480059875.7
申请日：2014-10-28
申请人： 田中贵金属工业株式会社
摘要： 本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶，其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4～10原子％的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr：30原子％以上、Co：70原子％以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。
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