Invention Grant
- Patent Title: 制造半导体器件的方法
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Application No.: CN201610124771.0Application Date: 2016-03-04
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Publication No.: CN105938790BPublication Date: 2021-01-01
- Inventor: 坂田贤治 , 木田刚 , 小野善宏
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 王茂华
- Priority: 2015-043085 2015.03.05 JP
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L21/60 ; H01L21/50
Abstract:
本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在印刷布线衬底之上安装Si内插器，等离子体清洗Si内插器的上表面，在Si内插器的上表面之上布置NCF，和通过NCF在Si内插器的上表面之上安装半导体芯片。另外，该方法包括通过多个凸起电极用回流焊将第二衬底的多个电极中的每个电极和半导体芯片的多个电极垫中的每个电极垫相互电耦合的步骤，和在将NCF附着到Si内插器之前等离子体清洗Si内插器的表面的步骤。
Public/Granted literature
- CN105938790A 制造半导体器件的方法 Public/Granted day:2016-09-14
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IPC分类:
