本发明公开了一种低温多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，属于显示器领域。所述方法包括：在衬底基板上形成金属图案；在所述金属图案上形成包覆所述金属图案的缓冲层；除去所述缓冲层中的所述金属图案，使得所述缓冲层中形成空腔结构；在所述缓冲层上形成低温多晶硅薄膜。低温多晶硅生长时，空腔结构冷却速度较慢有利于晶粒成核后长大，从而形成较大的晶粒，因此设计该空腔结构可以形成较大晶粒，晶粒尺寸较大，相应的晶界及缺陷就会较少，从而解决了低温多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均匀分布，导致薄膜晶体管的阈值电压和迁移率的均匀性不佳的问题。