发明授权
- 专利标题: 双电池电流型氮氧化物传感器芯片及制备方法
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申请号: CN201610296307.X申请日: 2016-05-06
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公开(公告)号: CN105973965B公开(公告)日: 2018-06-29
- 发明人: 谢光远 , 张舟 , 甘章华 , 赵芃
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 四方光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山和平大道947号
- 代理机构: 武汉开元知识产权代理有限公司
- 代理商 唐正玉
- 主分类号: G01N27/407
- IPC分类号: G01N27/407
摘要:
本发明涉及一种双电池电流型氮氧化物传感器芯片及制备方法。其技术方案是:包括流延和切割制备形成对应于每一层的流延基片;所述氮氧化物传感器芯片的结构仅由三层基片组成,对各层流延基片进行对应的丝网印刷,形成对等的活性和非活性电极与共同对电极组成电流型双电池,同时也形成加热电阻和相应功能层;将各层流延基片叠合后,形成芯片坯材,切割坯材形成单个芯片生坯;烧结单个芯片生坯,制得双电池电流型氮氧化物传感器,烧结中对应功能层排胶后形成空腔,与相关结构构成空气通道。本发明制备的氮氧化物传感器芯片与现有技术相比,具有制作简单和成本低的特点,所制备的氮氧化物传感器芯片测量准确且能同时测量氮氧化物含量和氧含量。
公开/授权文献
- CN105973965A 双电池电流型氮氧化物传感器芯片及制备方法 公开/授权日:2016-09-28