Invention Publication
- Patent Title: 一种用于锑化镓单晶片的抛光方法
- Patent Title (English): Polishing method for gallium antimonide single crystal wafer
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Application No.: CN201610615129.2Application Date: 2016-08-01
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Publication No.: CN106064326APublication Date: 2016-11-02
- Inventor: 高飞 , 李晖 , 徐世海 , 张颖武 , 练小正 , 张弛 , 王磊 , 徐永宽 , 程红娟
- Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- Applicant Address: 天津市河西区洞庭路26号
- Assignee: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- Current Assignee: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- Current Assignee Address: 天津市河西区洞庭路26号
- Agency: 天津中环专利商标代理有限公司
- Agent 王凤英
- Main IPC: B24B1/00
- IPC: B24B1/00 ; B24B37/04

Abstract:
本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫,抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料,压力100~200 g/cm2,转速10~40 转/分钟,流量10‑50 mL/min;中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫,抛光液中含有粒径为60‑100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠,压力80‑150 g/cm2,转速60‑100转/分钟,流量10‑30 mL/min;精抛光采用黑色合成革抛光布,抛光液为无磨料抛光液,压力30‑100 g/cm2,转速20‑60转/分钟,流量5‑10 mL/min。抛光工艺简单、易于操作,锑化镓单晶片表面损伤小,易于清洗,表面粗糙度小于0.3 nm。
Public/Granted literature
- CN106064326B 一种用于锑化镓单晶片的抛光方法 Public/Granted day:2018-03-06
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