一种用于锑化镓单晶片的抛光方法
Abstract:
本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫,抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料,压力100~200 g/cm2,转速10~40 转/分钟,流量10‑50 mL/min;中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫,抛光液中含有粒径为60‑100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠,压力80‑150 g/cm2,转速60‑100转/分钟,流量10‑30 mL/min;精抛光采用黑色合成革抛光布,抛光液为无磨料抛光液,压力30‑100 g/cm2,转速20‑60转/分钟,流量5‑10 mL/min。抛光工艺简单、易于操作,锑化镓单晶片表面损伤小,易于清洗,表面粗糙度小于0.3 nm。
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