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公开(公告)号：CN112359424B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011426074.3
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种多块粘接碳化硅晶锭装置的使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸杆连接件的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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公开(公告)号：CN114161258A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111504627.7
申请日：2021-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B9/06 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B41/04 , H01L21/463
摘要： 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。
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公开(公告)号：CN106695478B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201611124171.0
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计了种用于氧化镓晶体的防解理加工方法,将片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上,使用2000#树脂金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,对表面进行磨削修复;再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,工艺结束后将陶瓷盘取下来,进行清洗。在保证加工效率的前提下,解决了加工过程中晶体解理的问题,防止了晶体在加工过程中发生开裂,大大提高了晶片表面质量。
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公开(公告)号：CN104465363B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410775111.X
申请日：2014-12-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明涉及一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法。碳化硅单晶片的化学机械抛光采用合成树脂锡盘，根据碳化硅单晶片的厚度和抛光去除量，确定采用合成树脂锡盘刻槽的宽度和深度，采用带修面研磨机对合成树脂锡盘进行修面和刻槽加工，将载有单晶片的陶瓷盘放在刻槽的合成树脂锡盘上，采用抛光液和陶瓷环进行化学机械抛光，控制压力为30‑70 kPa，转速为40‑80 rpm，抛光液流量为5‑50 mL/min。采用纳米金刚石和碱性硅溶胶溶液配制的抛光液在刻槽的合成树脂锡盘上进行化学机械抛光，配合使用陶瓷环，可以很快去除机械抛光过程中造成的划痕和损伤，大大缩短加工时间，提高加工效率。
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公开(公告)号：CN106378671A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611123348.5
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B1/00
CPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明涉及一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺，三片2英寸CdS单晶片粘贴在陶瓷盘上，用1200#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用5000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用8000#的树脂氧化铈砂轮，打开冷却液，冷却液为纯水和次氯酸钠，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来进行清洗，减薄工艺完成。使用减薄机，配上不同材质和型号的砂轮，加工时间不仅缩短至2小时，晶片厚度一致性得到很大改善，提高了加工效率。
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公开(公告)号：CN106181734A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610618673.2
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： B24B29/02 , B24B27/0076 , B24B57/02 , B24D7/00
摘要： 本发明公开一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。本方法使用双面抛光机，上盘和下盘为合成树脂锡盘，配上粒径为W0.5的金刚石抛光液，将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上，其中上盘设为螺旋凹槽条纹，两条凹槽间距为1.5mm，凹槽深度为15μm，下盘为同心圆槽条纹，两条凹槽间距为1mm，凹槽深度为20μm，压力为100-500g/cm2，转速为10-40r/min，金刚石抛光液的流量为5ml-20ml/min。使用合成树脂锡盘，配上金刚石抛光液，大大缩短了加工时间，提高了加工效率，由于划痕深度小，为后面化学机械抛光工序奠定了基础。采用锡盘双面抛光，可以获得更高的去除速率和表面质量。
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公开(公告)号：CN106064326A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610615129.2
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： B24B1/00 , B24B37/042 , B24B37/044
摘要： 本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，压力100~200 g/cm2，转速10~40 转/分钟，流量10‑50 mL/min；中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60‑100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，压力80‑150 g/cm2，转速60‑100转/分钟，流量10‑30 mL/min；精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，压力30‑100 g/cm2，转速20‑60转/分钟，流量5‑10 mL/min。抛光工艺简单、易于操作，锑化镓单晶片表面损伤小，易于清洗，表面粗糙度小于0.3 nm。
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公开(公告)号：CN103668444B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210359321.1
申请日：2012-09-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种CdS单晶生长方法及装置，该方法包括：将CdS单晶籽晶置于抛光片上，然后将该抛光片放置在支撑台上；将CdS粉料和低阻掺杂剂放入坩埚内，所述坩埚放置在位于所述支撑台上的反应管内，所述反应管的外侧设有外管；所述外管设在加热炉内，将所述反应管内抽真空，并向所述反应管内通入载气；将生长区温度升至950-1015度，源区温度升至1000-1055度，进行CdS单晶生长，生长结束后，将炉内温度降至室温，取出生长后的CdS单晶；该装置包括：抛光片、支撑台、坩埚、反应管、外管和加热炉。本发明通过调控生长区和源区的温度，从而控制CdS单晶生长速度，近而使CdS单晶产生较小的应力，获得质量较高的大尺寸CdS单晶。
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公开(公告)号：CN103074676B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210337143.2
申请日：2012-09-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法，所述方法包括：在半导体生长衬底上制备自剥离插入层；在具有自剥离插入层的衬底上放置全覆盖衬底边缘的边缘保护环；在具有所述边缘保护环的衬底上生长氮化物半导体材料；待生长完成后，去除所述边缘保护环，得到自支撑氮化物衬底材料。本发明提供的实现半导体材料自剥离的边缘保护方法，解决了现有技术中制备自剥离氮化物衬底时出现的边缘效应、多晶沉积等影响自支撑氮化物衬底完整性差的问题。
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公开(公告)号：CN105070655A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510414951.8
申请日：2015-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种锑化镓单晶片的钝化方法。其步骤是：抛光之后将陶瓷盘取下，使用去离子水对陶瓷盘喷淋，喷淋时间在10-30s；喷淋后将陶瓷盘直接浸入硫化铵溶液中；溶液温度为5-30℃；溶液用量为液面没过锑化镓单晶片表面5-10mm；钝化时长为20-120s；钝化结束后将陶瓷盘取出，用去离子水冲洗，用压缩空气吹干后，准备进行下一步的清洗工艺。采用硫化铵溶液对抛光结束后的锑化镓晶体表面进行钝化处理，可以以较快的速率在晶片表面形成数个纳米厚的硫化物钝化层。这一硫化层分布均一，在空气中化学性质稳定，不会与氧气自发作用，在较长的时间尺度上保持了化学成分的固定，大大提高了成品锑化镓晶片的表面电学性能。
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