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公开(公告)号：CN118061385A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410079382.5
申请日：2024-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种AlN晶体的加工方法，属于半导体材料加工技术领域，包括以下步骤：制备平台上放置原AlN晶体和套筒，套筒套设在原AlN晶体的外部，套筒的内周壁与原AlN晶体的外周间隔以形成第一填充腔室，套筒的顶部高于原AlN晶体以形成第二填充腔室；将混有AlN颗粒的AB胶灌注于第一填充腔室和第二填充腔室中，静置固化；取下套筒以形成待加工AlN晶体。本发明提供的一种AlN晶体的加工方法，利用混有AlN颗粒的AB胶包裹在原AlN晶体的外部和顶部，最终形成形状规则的待加工AlN晶体后，进行滚圆或线切加工。加工操作时，在不损失AlN晶体尺寸情况下，能够切割出满足指标的晶片，同时避免了切割变径位置时产生划线的问题，减少了晶片的损失。
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公开(公告)号：CN117947502A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410085350.6
申请日：2024-01-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种用于氮化铝籽晶低温热粘接的方法，将钨衬底置于马弗炉中氧化性气氛中进行氧化处理，使钨衬底表面形成一层氧化钨层；将氮化铝籽晶放置于钨衬底氧化钨层上，在氮化铝籽晶上方放置钨载荷后，置于高温炉的样品托盘上；经氮化铝籽晶的恒温恒压过程，将氮化铝籽晶通过钨粘接至钨衬底的表面上；本发明避免了高温热粘接工艺对籽晶的破坏、避免了杂质元素的引入、同时也能有效杜绝籽晶在降温阶段受衬底材料降温拉应力引起的籽晶开裂。
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公开(公告)号：CN106695478A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611124171.0
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计了一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法，将一片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上，使用2000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，对表面进行磨削修复；再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来，进行清洗。在保证加工效率的前提下，解决了加工过程中晶体解理的问题，防止了晶体在加工过程中发生开裂，大大提高了晶片表面质量。
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公开(公告)号：CN112359424B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011426074.3
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种多块粘接碳化硅晶锭装置的使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸杆连接件的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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公开(公告)号：CN114161258A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111504627.7
申请日：2021-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B9/06 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B41/04 , H01L21/463
摘要： 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。
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公开(公告)号：CN106695478B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201611124171.0
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计了种用于氧化镓晶体的防解理加工方法,将片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上,使用2000#树脂金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,对表面进行磨削修复;再使用10000#树脂氧化铈金刚石砂轮,打开冷却液,冷却液液体积配比是纯水:双氧水,启动金刚石砂轮转速,再启动工件转速,当工件到达结束位置时,保持空转60s,工艺结束后将陶瓷盘取下来,进行清洗。在保证加工效率的前提下,解决了加工过程中晶体解理的问题,防止了晶体在加工过程中发生开裂,大大提高了晶片表面质量。
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公开(公告)号：CN106378671A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611123348.5
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B1/00
CPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明涉及一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺，三片2英寸CdS单晶片粘贴在陶瓷盘上，用1200#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用5000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液纯水，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转30s；用8000#的树脂氧化铈砂轮，打开冷却液，冷却液为纯水和次氯酸钠，启动砂轮转速，再启动工件转速，工件到达结束位置时，保持空转60s，工艺结束后将陶瓷盘取下来进行清洗，减薄工艺完成。使用减薄机，配上不同材质和型号的砂轮，加工时间不仅缩短至2小时，晶片厚度一致性得到很大改善，提高了加工效率。
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公开(公告)号：CN106181734A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610618673.2
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： B24B29/02 , B24B27/0076 , B24B57/02 , B24D7/00
摘要： 本发明公开一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。本方法使用双面抛光机，上盘和下盘为合成树脂锡盘，配上粒径为W0.5的金刚石抛光液，将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上，其中上盘设为螺旋凹槽条纹，两条凹槽间距为1.5mm，凹槽深度为15μm，下盘为同心圆槽条纹，两条凹槽间距为1mm，凹槽深度为20μm，压力为100-500g/cm2，转速为10-40r/min，金刚石抛光液的流量为5ml-20ml/min。使用合成树脂锡盘，配上金刚石抛光液，大大缩短了加工时间，提高了加工效率，由于划痕深度小，为后面化学机械抛光工序奠定了基础。采用锡盘双面抛光，可以获得更高的去除速率和表面质量。
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公开(公告)号：CN106064326A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610615129.2
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： B24B1/00 , B24B37/042 , B24B37/044
摘要： 本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，压力100~200 g/cm2，转速10~40 转/分钟，流量10‑50 mL/min；中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60‑100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，压力80‑150 g/cm2，转速60‑100转/分钟，流量10‑30 mL/min；精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，压力30‑100 g/cm2，转速20‑60转/分钟，流量5‑10 mL/min。抛光工艺简单、易于操作，锑化镓单晶片表面损伤小，易于清洗，表面粗糙度小于0.3 nm。
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公开(公告)号：CN115635379B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211573914.8
申请日：2022-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/00 , B24B41/06 , B24B47/20 , B24B41/00 , H01L21/304 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种氮化铝单晶衬底加工方法，首先设计氮化铝晶体的粘接装置，并结合粘接装置制定了加工方法，粘接装置包括支架、升降杆、缓冲杆和真空吸盘；加工方法包括晶体粘接工艺过程和晶体减薄工艺过程。通过采用粘接装置对氮化铝单晶进行粘接，配合新制定的减薄工艺方法，能得到无开裂、表面光滑、满足工艺使用要求的晶体。本发明解决了氮化铝晶体生长结束部分无法将切割面粘平的问题，使用粘接装置粘接后进行减薄磨削加工的晶体经工艺验证晶体无开裂现象，表面光滑平整，表面粗糙度值Ra=9.21nm，满足了衬底使用要求，提高了氮化铝晶体的利用率。本粘接装置结构简单，操作便捷。
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