Invention Grant
CN106133208B 用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法
-
Application No.: CN201580014648.7Application Date: 2015-03-17
-
Publication No.: CN106133208BPublication Date: 2020-04-28
- Inventor: 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
- Applicant: 瓦里安半导体设备公司
- Applicant Address: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- Assignee: 瓦里安半导体设备公司
- Current Assignee: 瓦里安半导体设备公司
- Current Assignee Address: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 杨贝贝; 臧建明
- Priority: 14/227,006 2014.03.27 US
- International Application: PCT/US2015/020901 2015.03.17
- International Announcement: WO2015/148181 EN 2015.10.01
- Date entered country: 2016-09-19
- Main IPC: C30B15/20
- IPC: C30B15/20 ; C30B29/06

Abstract:
本发明提供一种用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法。装置可包括坩埚,用以容纳熔体,而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方,用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障,配置于坩埚内,并在熔体中定义隔离区与外围区。所述装置用以容纳或限制热流,所以表面的热流会受规范。
Public/Granted literature
- CN106133208A 硅熔体中控制热流的装置 Public/Granted day:2016-11-16
Information query
IPC分类: