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公开(公告)号：CN107075715B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201580055969.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
Abstract: 本发明提供一种控制在熔体成长的结晶片的厚度的装置、方法及系统。该装置可包括坩埚用以容纳熔体，所述熔体具有与所述坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面，壳体包含不对所述熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁并包括顶部，所述多个侧壁及所述顶部用以接触所述熔体，以及多个加热元件，与所述熔体隔绝并沿与所述结晶片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热元件被各别地供电，其中所述多个加热元件相对于所述熔体的所述暴露表面安置于第二组距离处，所述第二组距离小于所述第一距离，且其中所述多个加热元件用以在所述多个加热元件被各别地供应电力时改变沿所述横向方向的热通量轮廓。
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公开(公告)号：CN106796203B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201580055518.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种薄片形成设备、测量薄片厚度的系统及测定界面的方法。薄片形成设备包含用于固持材料熔体以及置于熔体内的固体薄片的坩埚、配置于所述坩埚上方用以自所述熔体形成薄片的结晶器和邻近所述结晶器配置的超声波测量系统，所述超声波测量系统包括至少一个超声波测量装置，其包含耦合到超声波换能器的波导以导引超声波脉冲穿过所述熔体。本发明的系统可用于在几乎任何类型的晶体固化应用与玻璃和冶金应用中，测定不同材料之间的界面位置。
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公开(公告)号：CN104797746B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201380060132.7
申请日：2013-07-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种用以由熔体形成晶片的装置及方法，所述装置包括坩埚，用以容纳所述熔体。所述装置也可包括冷块和晶体拉动器，冷块用以在熔体的表面附近给予一低温区域，所述低温区域用以产生所述晶片的结晶前缘，晶体拉动器用以沿着所述熔体的表面的拉动方向拉动所述晶片，其中，拉动方向的垂线与所述结晶前缘形成小于90°且大于0°的角度。本申请配置的冷块能够达到相同或大于传统装置的拉动速度，而不需要通过传统装置来超出过冷却程度至熔体的表面。
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公开(公告)号：CN106458687A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024930.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 菲德梨克·M·卡尔森 , 彼德·L·凯勒曼 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
IPC: C03B27/012 , C03B23/00
Abstract: 一种用于处理熔体的设备可包含经配置以容纳所述熔体的坩埚，其中所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面。所述设备可进一步包含浸没式加热器，所述浸没式加热器包括加热元件以及安置于所述加热元件与所述熔体之间的壳体，其中所述加热元件不接触所述熔体。所述加热元件可安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处，所述第二距离小于所述第一距离。
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公开(公告)号：CN102782797B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080064197.5
申请日：2010-12-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 陆钧
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J2237/053 , H01J2237/12 , H01J2237/24514
Abstract: 本发明揭示一种用于控制离子束的偏移、减速及聚焦的方法及设备。所述设备可包含分级偏移/减速透镜，其包含安置于离子束的相对侧的多个上部及下部电极，及用于调整施加至所述电极的电压的控制系统。使用可操作以独立地控制所述离子束的偏移及减速的一组“虚拟旋纽”来改变上部与下部电极对之间的电位差。虚拟旋纽包含：对束聚焦及残余能量污染的控制；对上游电子抑制的控制；对束偏移的控制；以及对所述束的最终偏移角度的微调，同时将所述束的位置约束于所述透镜的出口处。在另一实施例中，藉由在量测晶圆平面处所述束位置及角度的同时微调束偏移来进行此步骤。在又一实施例中，藉由调谐偏移因子以达成定中心于所述晶圆平面处的束来进行此步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102150283B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980135584.0
申请日：2009-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B28/06 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/52 , C30B29/64 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明揭示一种用于形成板的方法及设备。将熔化物冷却，且在所述熔化物上形成板。此板具有第一厚度。随后使用例如加热器或熔化物使所述板自第一厚度变薄至第二厚度。所述冷却可经配置以允许溶质被截留于板的一区中，且可使此特定板变薄且移除溶质。所述熔化物可为例如硅、硅锗、镓或氮化镓。
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公开(公告)号：CN103046116A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310010356.9
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN103025926A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
Abstract: 在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN102925986A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210393420.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种片材制造装置，包括一容器，其定义出一通道以容纳一熔体。熔体会从通道的一第一位置流至一第二位置。一冷却板邻近熔体，用以在熔体上形成一片材。一溢流道配置于通道的第二位置。溢流道用以将片材从熔体分离。
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公开(公告)号：CN106165110A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种用以使熔体成长为结晶片的结晶器，其可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述系统还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。
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