- 专利标题： 布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件
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申请号： CN201610329900.X申请日： 2016-05-18
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公开(公告)号： CN106169439B公开(公告)日： 2021-11-02
- 发明人: 金田中 , 金永培 , 金钟三 , 朴镇亨 , 安正勋 , 吴赫祥 , 李敬雨 , 李孝善 , 张淑禧
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波; 王新华
- 优先权： 10-2015-0069754 20150519 KR
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。
公开/授权文献
- CN106169439A 布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件 公开/授权日：2016-11-30