公开(公告)号：CN117995809A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311380183.X

申请日：2023-10-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金菊喜 ,  李敬雨 ,  罗相喆 ,  郭珉灿 ,  金荣佑 ,  金昊俊 ,  李东翼

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 本发明构思的实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案，设置在基底的上表面上，并且具有不同宽度；第一栅极结构和第二栅极结构，分别与第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域和第二源/漏区域，分别设置在第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案上；第一接触结构和第二接触结构，分别连接到第一源/漏区域和第二源/漏区域；栅极隔离结构，与具有相对大的宽度的第一鳍式有源图案相邻；掩埋导电结构，接触栅极隔离结构的一个端表面，并且连接到第二接触结构；导电贯通结构，从基底的下表面延伸，并且连接到掩埋导电结构；以及第一布线层，电连接到第一接触结构和掩埋导电结构。

公开(公告)号：CN117423697A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310821042.0

申请日：2023-07-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘素罗 ,  李敬雨 ,  李城门 ,  车承珉 ,  赵学柱

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L23/538

摘要： 一种半导体器件包括：平行有源区，在衬底上，并且在第一水平方向上延伸；栅结构，与有源区相交，在第二水平方向上延伸，并且包括在第二水平方向上彼此相对的第一栅结构和第二栅结构；源/漏区，包括第一源/漏区和第二源/漏区，在栅结构的至少一侧上并且在有源区上；栅分离图案，在第一栅结构和第二栅结构之间；竖直导电结构，在栅分离图案中；接触插塞，包括电连接到第一源/漏区和竖直导电结构的第一接触插塞、以及电连接到第二源/漏区并且与竖直导电结构间隔开的第二接触插塞；以及接触分离图案，分离第一接触插塞和第二接触插塞，并且具有接触竖直导电结构的上表面的部分。

公开(公告)号：CN109755217A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811080856.9

申请日：2018-09-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 丁少锋 ,  李敬雨 ,  金仁焕 ,  李种賱

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50

摘要： 一种中介层包括：具有安装区域和测试区域的基板；彼此隔开的第一导电插塞，第一导电插塞沿着第一方向设置并设置到基板的测试区域中；第一线路图案组，包括设置在第一导电插塞的第一中心上的第一非导电图案和设置为桥接第一相邻对的第一导电插塞的第一外围的第一导电图案；以及第一焊盘，在第一线图案组的两个第一端处连接到第一导电图案。

公开(公告)号：CN1649126A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005832.3

申请日：2005-01-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤 ,  魏荣振 ,  李承珍 ,  朴起宽

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829

摘要： 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

公开(公告)号：CN1581476A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76847

摘要： 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN118522710A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311216060.2

申请日：2023-09-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金荣佑 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  罗相喆 ,  李东翼

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

摘要： 实施例提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，其具有彼此相反的第一表面和第二表面；沟道图案，其设置在半导体衬底的第一表面上；源极/漏极图案，其设置在半导体衬底的第一表面上并且设置在沟道图案的两侧；第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，其设置在半导体衬底的第一表面上；接触电极，其电连接到源极/漏极图案；下布线结构，其设置在半导体衬底的第二表面上；以及贯通通路，其穿过半导体衬底、第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，以连接接触电极和下布线结构，其中，贯通通路包括：第一部分，其接触接触电极；以及第二部分，其接触第一部分并且设置在第一部分与下布线结构之间。

公开(公告)号：CN105428308B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201510522886.0

申请日：2015-08-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李敬雨 ,  李禹镇 ,  金钟三 ,  刘禹炅 ,  李荣祥 ,  许珉

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 一种制造半导体器件的方法包括：在包括下图案的基板上顺序地形成层间绝缘层和包括第一开口的硬掩模图案；利用硬掩模图案在层间绝缘层中形成暴露下图案的沟槽；形成衬垫层，该衬垫层包括沿着沟槽的侧壁和底表面形成的第一部分以及沿着硬掩模图案的顶表面形成的第二部分；在沟槽中形成暴露衬垫层的第二部分的牺牲图案；利用牺牲图案去除衬垫层的第二部分和硬掩模图案；以及在去除硬掩模图案之后，去除牺牲图案以暴露衬垫层的第一部分。

公开(公告)号：CN110828370A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910378795.2

申请日：2019-05-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金志荣 ,  韩奎熙 ,  朴成彬 ,  金永吉 ,  白宗玟 ,  李敬雨 ,  郑德泳

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。

公开(公告)号：CN100416842C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200310102405.8

申请日：2003-10-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李守根 ,  朴基彻 ,  李敬雨

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L31/022408 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。扩散阻挡层由不透明材料形成，并位于隔离区和多个晶体管上方以定义光线通路。

公开(公告)号：CN100350604C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310124737.6

申请日：2003-12-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴基澈 ,  宋源祥

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种具有双覆盖层的半导体器件的互连及其制造方法。半导体器件的互连是一种铜金属镶嵌互连，在用化学机械抛光(CMP)加工过的铜层上形成覆盖层，该覆盖层是氮化硅层和碳化硅层的双层结构。因此，有可能在提供优良的漏电流抑制作用的同时维持碳化硅层的高刻蚀选择性和低介电常数。该互连结构包括：层间绝缘膜，其具有位于其中的成互连的形状的开口；沿开口的内壁形成的阻挡金属层；填充在阻挡金属层上方的开口的金属层，该金属层具有与层间绝缘膜的顶部表面水平的顶部表面；以及覆盖层间绝缘膜和金属层的顶部表面的覆盖层，该覆盖层是由顺序淀积的氮化硅层和碳化硅层形成的双层结构。