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发明授权
CN106252350B FinFET器件和形成方法 有权

FinFET器件和形成方法
摘要：
一种FinFET器件和形成方法。根据一些实施例，器件包括第一p型晶体管和第二p型晶体管。第一晶体管包括包含第一鳍的第一材料的第一沟道区。第一晶体管包括每个均位于第一材料中的相应的第一凹槽中和第一沟道区的相对侧壁上的第一外延源极/漏极区和第二外延源极/漏极区。第一晶体管包括位于第一沟道区上的第一栅极堆叠件。第二晶体管包括包含第二鳍的第二材料的第二沟道区。第二材料是与第一材料不同的材料。第二晶体管包括每个均位于第二材料中的相应的第二凹槽中和第二沟道区的相对侧壁上的第三外延源极/漏极区和第四外延源极/漏极区。第二晶体管包括位于第二沟道区上的第二栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及FinFET器件和形成方法。
摘要（英）：

In accordance with some embodiments, a device includes first and second p-type transistors. The first transistor includes a first channel region including a first material of a first fin. The first transistor includes first and second epitaxial source/drain regions each in a respective first recess in the first material and on opposite sides of the first channel region. The first transistor includes a first gate stack on the first channel region. The second transistor includes a second channel region including a second material of a second fin. The second material is a different material from the first material. The second transistor includes third and fourth epitaxial source/drain regions each in a respective second recess in the second material and on opposite sides of the second channel region. The second transistor includes a second gate stack on the second channel region.

公开/授权文献
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