发明授权
- 专利标题： 集成电路及其制作与操作方法
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申请号： CN201510317842.4申请日： 2015-06-11
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公开(公告)号： CN106298786B公开(公告)日： 2019-05-07
- 发明人: 叶腾豪 , 胡志玮 , 林立颖
- 申请人： 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 宋焰琴
- 主分类号： H01L27/11524
- IPC分类号： H01L27/11524 ; H01L27/11551 ; H01L27/1157 ; H01L27/11578 ; G11C16/10
摘要：
一种集成电路包括含有记忆晶体管的立体NAND存储器阵列、多条位线，不同的位线耦接至立体NAND存储器阵列的不同部位，以及位于半导体叠层中的多个晶体管对。半导体叠层中的不同层包括多个晶体管对中的不同的晶体管对。每一个晶体管对包含第一晶体管和第二晶体管。其中，第一晶体管包括第一和第三源极/漏极端点；第二晶体管包括第二和第三源极/漏极端点。第一源极/漏极端点电性耦接至一擦除电压线。第二源极/漏极端点电性耦接至多条写入/读取电压线中相对应的一条。第三源极/漏极端点电性耦接至多条位线中相对应的一条。
公开/授权文献
- CN106298786A 集成电路及其制作与操作方法 公开/授权日：2017-01-04
IPC分类:
