发明授权
- 专利标题: 封装件结构及其形成方法
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申请号: CN201610003814.X申请日: 2016-01-04
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公开(公告)号: CN106328603B公开(公告)日: 2019-07-05
- 发明人: 胡毓祥 , 刘重希 , 郭宏瑞 , 廖思豪
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权: 14/755,529 20150630 US
- 主分类号: H01L23/31
- IPC分类号: H01L23/31 ; H01L21/56
摘要:
一些实施例涉及用于形成封装件结构的方法并且由此形成的封装件结构。实施例方法包括:在支撑结构上沉积感光介电层;在感光介电层的表面上形成第一层;将感光介电层暴露于辐射;以及在形成第一层和暴露于辐射之后,显影感光介电层。支撑结构包括集成电路管芯。在显影期间,第一层具有与感光介电层不同的去除选择性。根据一些实施例,在显影之后可以提高感光介电层的厚度均匀性,并且可以减少因显影感光介电层导致的厚度损失。本发明实施例涉及封装件结构及其形成方法。
公开/授权文献
- CN106328603A 封装件结构及其形成方法 公开/授权日:2017-01-11
IPC分类: