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公开(公告)号：CN113140535B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011344978.1
申请日：2020-11-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 器件包括：传感器管芯，具有位于传感器管芯的顶面处的感测区域；密封剂，至少横向密封传感器管芯；导电通孔，穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于密封剂上和位于传感器管芯顶面上，其中，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，其中，前侧再分布结构中的开口暴露传感器管芯的感测区域，并且其中，前侧再分布结构包括：第一介电层，在密封剂和传感器管芯的顶面上方延伸；金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，在金属化图案和第一介电层上方延伸。申请的实施例还涉及传感器器件、传感器封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112750706B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202011196697.6
申请日：2020-10-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498
摘要： 在实施例中，集成电路器件包括：半导体衬底；接触焊盘，位于半导体衬底上；钝化层，位于接触焊盘和半导体衬底上；管芯连接件，延伸穿过钝化层，管芯连接件物理耦接和电耦接至接触焊盘，管芯连接件包括第一导电材料，第一导电材料是具有第一酸硬度/软度指数的路易斯酸；介电层，位于管芯连接件和钝化层上；以及保护层，设置在介电层和管芯连接件之间，保护层围绕管芯连接件，保护层包括第一导电材料和唑的配位络合物，唑是具有第一配体硬度/软度指数的路易斯碱，其中，第一酸硬度/软度指数和第一配体硬度/软度指数的乘积为正。本发明的实施例还涉及形成集成电路封装件的方法。
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公开(公告)号：CN117542836A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310991683.0
申请日：2023-08-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L21/48
摘要： 半导体器件包括第一管芯、第二管芯、第一再分布层(RDL)结构和连接件。RDL结构设置在第一管芯和第二管芯之间，并且电连接至第一管芯和第二管芯，并且包括第一聚合物层、第二聚合物层、第一导电图案和粘合促进剂层。粘合促进剂层位于第二聚合物层和第一导电图案之间并且与第二聚合物层和第一导电图案直接接触。连接件设置在第一聚合物层中，并且与第二管芯和第一导电图案直接接触。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN107689333B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201710543411.9
申请日：2017-07-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/482
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公开(公告)号：CN107591391B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201610833915.X
申请日：2016-09-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/31
摘要： 本发明实施例提供一种组件封装，组件封装包括逻辑晶粒以及逻辑晶粒上的第一钝化层。组件封装还包括存储器晶粒以及沿着所述逻辑晶粒与所述存储器晶粒的侧壁延伸的模制化合物。组件封装还包括延伸通过所述模制化合物的导通孔以及所述模制化合物上的第一重配置层结构。所述模制化合物延伸至所述存储器晶粒的顶面与所述第一重配置层结构的底面之间。所述第一钝化层的顶面与所述第一重配置层结构的底面接触。
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公开(公告)号：CN107731786B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201611137825.3
申请日：2016-12-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538
摘要： 一种重配置线路结构的制造方法至少包括以下步骤。首先，在衬底上形成层间介电层。接着，在层间介电层上形成种子层。然后，在种子层上形成多个导电图案，且种子层以及导电图案包括相同材料。通过执行干蚀刻工艺选择性地将被导电图案暴露出的种子层移除，以形成多个种子层图案，其中导电图案的宽度在干蚀刻工艺前后实质上维持一致。多个导电图案以及多个种子层图案形成多个重配置导电图案。
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公开(公告)号：CN108122880B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201711002107.X
申请日：2017-10-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 一种半导体装置的制造方法包括：在管芯上形成导电柱；使用焊料将测试探针耦合到所述导电柱；以及使用多个刻蚀工艺对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，所述多个刻蚀工艺包括第一刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述导电柱进行刻蚀。
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公开(公告)号：CN115116980A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210083484.5
申请日：2022-01-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/538 , H01L21/56
摘要： 在实施例中，器件包括：半导体管芯，包括半导体材料；通孔，邻近半导体管芯，通孔包括金属；密封剂，位于通孔和半导体管芯周围，密封剂包括聚合物树脂；以及粘合层，位于密封剂和通孔之间，粘合层包括具有芳香族化合物和氨基的粘合剂化合物，氨基结合至密封剂的聚合物树脂，芳香族化合物结合至通孔的金属，芳香族化合物对半导体管芯的半导体材料是化学惰性的。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114023718A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111013374.3
申请日：2021-08-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 使用具有高收缩率的无填充物绝缘材料制成再分布结构。因此，可以实现良好的平面性而不需要实施再分布结构的每个绝缘层的平坦化，从而简化再分布结构的形成。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113764333A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110173149.X
申请日：2021-02-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 提供一种包括以下步骤的移除抗蚀剂层的方法。在材料层上形成图案化抗蚀剂层。对图案化抗蚀剂层施加剥除溶液以溶解图案化抗蚀剂层而不溶解材料层，其中剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。
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