Invention Grant
- Patent Title: 写入电压生成电路以及存储器装置
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Application No.: CN201610275893.XApplication Date: 2016-04-29
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Publication No.: CN106409340BPublication Date: 2021-07-02
- Inventor: 赤堀旭 , 松井克晃
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县横滨市
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县横滨市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 闫小龙; 陈岚
- Priority: 2015-094334 20150501 JP
- Main IPC: G11C16/30
- IPC: G11C16/30 ; G11C16/10 ; H03H9/00

Abstract:
本发明涉及写入电压生成电路以及存储器装置。目的在于提供能够在不招致装置规模的增大的情况下对存储器单元高速地进行数据的写入的写入电压生成电路和存储器装置。具有:接受外部电源电压的电源端子、对外部电源电压进行升压来生成升压电压的升压电路、以及选择外部电源电压和升压电压之中的一个并且将所选择的一个的电压作为写入电压输出的选择器,该选择器在对存储器单元进行数据的写入的写入期间的初期将外部电源电压选择为写入电压,另一方面,在后期将升压电压选择为写入电压。
Public/Granted literature
- CN106409340A 写入电压生成电路以及存储器装置 Public/Granted day:2017-02-15
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