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公开(公告)号：CN118800306A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410768937.7
申请日：2022-03-21
申请人： 美光科技公司
发明人： M·A·卡里姆
摘要： 本申请针对用于存储器装置中的多电平信令的反馈。接收器可使用一种调制方案与主机装置传送信息。所述接收器可包含第一电路、第二电路、第三电路和第四电路。所述第一电路、所述第二电路、所述第三电路和所述第四电路中的每一个可针对相应时钟相位确定使用所述调制方案调制的信号的电压电平。所述接收器可包含第一反馈电路、第二反馈电路、第三反馈电路和第四反馈电路。所述第一反馈电路可在所述第一时钟相位使用从所述第一电路接收的信息，并针对所述第二时钟相位修改输入到所述第二电路中的所述信号。
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公开(公告)号：CN118800295A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310390626.7
申请日：2023-04-12
申请人： 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC分类号： G11C11/419 , G11C16/30
摘要： 本发明公开了一种低功耗FIFO存储器、控制装置及方法、芯片，该低功耗FIFO存储器包括：多个容量相同的SRAM阵列、与各SRAM阵列一一对应的电源管理模块；所述电源管理模块，用于根据外部电源管理控制信号，控制对应的SRAM阵列及其地址译码和读写通路上电或断电。利用本发明方案，可以有效降低FIFO存储器的静态功耗。
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公开(公告)号：CN118782123A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410811063.9
申请日：2024-06-21
申请人： 群联电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种信号接收电路、存储器存储装置及参考电压调整方法。所述方法包括：取得第一信号与多个参考电压电平；感测第一信号与所述多个参考电压电平之间的电压相对关系，其中所述电压相对关系反映第一信号所携带的比特数据；检测第一信号的边缘信息；以及根据所述边缘信息调整所述多个参考电压电平的至少其中之一。由此，可在不影响信号传输效能的情况下提高信号接收装置的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN111415689B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201910012322.0
申请日：2019-01-07
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明提供一种输出电路和芯片。输出电路包括第一级电路、第二级电路第三级电路和第四级电路。第一级电路用于将读取存储器内部的串行数据，并将串行数据分成设定速率等级的电压信号；第二级电路用于接收第一级电路输出的电压信号，并为电压信号分配传输路径；第三级电路用于接收第二级电路输出的电压信号，并根据ZQ校准信号为每一个接收到的电压信号分配传输路径；第四级电路包括上拉电路和下拉电路，上拉电路和下拉电路均包括薄栅低阈值NMOS管，第四级电路用于接收第三级电路输出的电压信号，生成输出电路的输出电压信号。本发明通过消除开启阈值电压对最低工作电源电压的限制，可以兼容多种不同的高速数据输出端口，提高效率。
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公开(公告)号：CN118737233A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311019335.3
申请日：2023-08-14
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 约翰·H·布伊
摘要： 本公开涉及一种用于切换接合焊盘的偏置电压的电路及其电子装置，所述电路包括：第一接合焊盘，具有偏置电压；电压上拉电路，将第一接合焊盘的偏置电压设定为高电压；电压下拉电路，响应于电压下拉电路接收到使所述电压下拉电路激活的第一控制信号而将第一接合焊盘的偏置电压从高电压切换到低电压；上升时间延迟控制电路，控制第一接合焊盘的偏置电压的上升时间，其中第一接合焊盘的偏置电压响应于第一控制信号使电压下拉电路停用而开始上升；以及驱动电路，驱动第二控制信号以使所述驱动电路激活。
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公开(公告)号：CN118675585A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310269341.8
申请日：2023-03-17
申请人： 上海复旦微电子集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种非挥发存储器阵列及其驱动电路、擦除方法，该存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。本发明方案可以缩小存储器阵列面积，并保证对存储单元擦写的可靠性和性能。
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公开(公告)号：CN112825263B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201911142939.0
申请日：2019-11-20
申请人： 合肥格易集成电路有限公司 , 兆易创新科技集团股份有限公司 , 上海格易电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器。该方法包括：监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时，控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电，使所述第二衬底获得第一电压；监测到开始对所述第一衬底充电时，基于所述第一电压对所述第一衬底充电，使所述第一衬底获得第二电压；在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。通过上述技术方案，预先利用电源给第二衬底充电，并在第一衬底需要充电时，利用第二衬底获得的电压给第一衬底充电，解决了直接用电源给第一衬底时速度较慢的问题，提高第一衬底的充电速度，从而提高对选中存储单元阵列擦除操作的速度。
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公开(公告)号：CN113470717B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110313037.X
申请日：2021-03-24
申请人： 美光科技公司
发明人： A·S·叶
摘要： 本申请案涉及存储器单元编程。方法以及被配置成执行类似方法的设备可包含将多个存储器单元编程到多个数据状态中的特定数据状态；和对于所述多个存储器单元中其目标数据状态高于所述特定数据状态的每一存储器单元：确定被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的相应目标阈值电压的编程电压电平的相应指示；和使用多个编程电压电平中与如下所述编程电压电平的所述相应指示对应的编程电压电平进一步编程所述存储器单元：所述编程电压电平被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压。
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公开(公告)号：CN110364208B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910180927.0
申请日：2019-03-11
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开一种存储器装置。一种存储器装置包括：页缓冲器单元，包括多个锁存器，所述多个锁存器根据由选择的存储器单元的字线提供的多个虚设信号，锁存选择的存储器单元的多条虚设数据中的每条虚设数据；控制逻辑，将所述多个锁存器中的第一计数锁存器的计数值与参考计数值进行比较，根据比较结果确定是否对不同于第一计数锁存器的第二计数锁存器进行计数，并且校正在读取操作中由选择的存储器单元的字线提供的读取信号的电压电平。
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公开(公告)号：CN118430616A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310860552.9
申请日：2023-07-13
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 本申请涉及用于控制字线的驱动方向的半导体装置和操作方法。一种半导体装置可以包括：存储器单元阵列，其包括连接到第一漏极选择线的第一存储器串和连接到第二漏极选择线的第二存储器串；控制电路，其被配置为基于地址信号生成第一开关控制信号和第二开关控制信号；第一开关，其在与第一漏极选择线相对应的方向上设置并且被配置为基于第一开关控制信号将全局字线与本地字线连接或者将全局字线与本地字线断开；以及第二开关，其在与第二漏极选择线相对应的方向上设置并且被配置为基于第二开关控制信号将全局字线与本地字线连接或者将全局字线与本地字线断开。
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