半导体存储装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111755041A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010201154.2

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 公开了一种半导体存储装置。在具有能够同时访问的写入数据输入端子和读出数据输出端子的半导体存储装置中,抑制电路规模的增大。包括:存储器阵列(11),其进行多个数据的写入、读出;一对写入寄存器(WR(0)、WR(1)),其暂时保存向存储器阵列(11)写入的写入数据;以及一对读出寄存器(RR(0)、RR(1)),其暂时保存从存储器阵列(1)读出的读出数据。

    写入电压生成电路以及存储器装置

    公开(公告)号:CN106409340A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610275893.X

    申请日:2016-04-29

    Abstract: 本发明涉及写入电压生成电路以及存储器装置。目的在于提供能够在不招致装置规模的增大的情况下对存储器单元高速地进行数据的写入的写入电压生成电路和存储器装置。具有:接受外部电源电压的电源端子、对外部电源电压进行升压来生成升压电压的升压电路、以及选择外部电源电压和升压电压之中的一个并且将所选择的一个的电压作为写入电压输出的选择器,该选择器在对存储器单元进行数据的写入的写入期间的初期将外部电源电压选择为写入电压,另一方面,在后期将升压电压选择为写入电压。

    写入电压生成电路以及存储器装置

    公开(公告)号:CN106409340B

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN201610275893.X

    申请日:2016-04-29

    Abstract: 本发明涉及写入电压生成电路以及存储器装置。目的在于提供能够在不招致装置规模的增大的情况下对存储器单元高速地进行数据的写入的写入电压生成电路和存储器装置。具有:接受外部电源电压的电源端子、对外部电源电压进行升压来生成升压电压的升压电路、以及选择外部电源电压和升压电压之中的一个并且将所选择的一个的电压作为写入电压输出的选择器,该选择器在对存储器单元进行数据的写入的写入期间的初期将外部电源电压选择为写入电压,另一方面,在后期将升压电压选择为写入电压。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN111756370A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010200892.5

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 本发明提供在包括进行在时钟同步系统不同的电路间的信号导通的信号同步化电路的半导体装置中抑制动作富余的降低的半导体装置。半导体装置(1)将与相位同步电路(10)的基准时钟信号RCK同步的输入信号IN输出作为与相位同步时钟信号PCK同步的输出信号OUT,该半导体装置(1)包括:第一触发器(40),基于输入至相位同步电路(110)的相位比较器11的反馈信号FB与基准时钟信号RCK取得同步地取入输入信号IN;以及第二触发器(30),基于相位同步时钟信号PCK取入第一触发器(40)的输出B输出作为输出信号OUT,向相位同步时钟信号PCK同步化时的设置时间被设为基准时钟信号RCK的周期的二分之一。

    半导体非易失性存储器及数据写入方法

    公开(公告)号:CN102682843B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201210058536.X

    申请日:2012-03-07

    CPC classification number: G11C16/10 G11C16/0475

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体非易失性存储器及数据写入方法,使其可以迅速且高精度地使对应于写入数据的规定量的电荷存储在存储器单元的电荷存储部中。当通过向存储器单元的漏极区域或者源极区域施加对应于写入数据的写入电压来向该存储器单元中形成的电荷存储部注入电荷时,根据存储在电荷存储部中的电荷量的增加来降低写入电压。

    半导体非易失性存储器及数据写入方法

    公开(公告)号:CN102682843A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210058536.X

    申请日:2012-03-07

    CPC classification number: G11C16/10 G11C16/0475

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体非易失性存储器及数据写入方法,使其可以迅速且高精度地使对应于写入数据的规定量的电荷存储在存储器单元的电荷存储部中。当通过向存储器单元的漏极区域或者源极区域施加对应于写入数据的写入电压来向该存储器单元中形成的电荷存储部注入电荷时,根据存储在电荷存储部中的电荷量的增加来降低写入电压。

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