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发明公开
CN106409674A 制造半导体结构的方法和半导体器件 无效 - 撤回

制造半导体结构的方法和半导体器件
摘要：
本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。
摘要（英）：

A method of manufacturing a semiconductor structure and a semiconductor device. The method of manufacturing a structure in a semiconductor body comprises forming a first mask above a first surface of the semiconductor body. The first mask comprises an opening surrounding a first portion of the first mask, thereby separating the first portion and a second portion of the first mask. The semiconductor body is processed through the opening at the first surface. The opening is increased by removing at least part of the first mask in the first portion while maintaining the first mask in the second portion. The semiconductor body is further processed through the opening at the first surface.

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