- 专利标题： 混合单端和差分感测的混合磁阻只读存储器(MRAM)高速缓存
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申请号： CN201580021687.X申请日： 2015-04-27
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公开(公告)号： CN106463167B公开(公告)日： 2019-05-10
- 发明人: X·董 , T·金
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 亓云
- 优先权： 14/278,055 2014.05.15 US
- 国际申请： PCT/US2015/027794 2015.04.27
- 国际公布： WO2015/175196 EN 2015.11.19
- 进入国家日期： 2016-10-31
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C11/16 ; H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L43/12
摘要：
混合高速缓存架构使用磁阻随机存取存储器(MRAM)高速缓存但具有两种不同类型的位单元感测。一种类型的位单元感测是单端的而另一种类型的位单元感测是差分的。结果是均匀的位单元阵列但不均匀的感测放大器配置。
公开/授权文献
- CN106463167A 混合单端和差分感测的混合磁阻只读存储器(MRAM)高速缓存 公开/授权日：2017-02-22
