发明授权
- 专利标题: 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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申请号: CN201610535078.2申请日: 2016-07-08
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公开(公告)号: CN106469688B公开(公告)日: 2020-08-28
- 发明人: 中岛经宏 , 高桥良和 , 梨子田典弘
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县川崎市
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县川崎市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 王颖; 金玉兰
- 优先权: 2015-161392 2015.08.18 JP
- 主分类号: H01L23/14
- IPC分类号: H01L23/14 ; H01L23/498 ; H01L25/11 ; H01L25/18
摘要:
本发明提供一种能够简化制造,并能够使半导体装置的厚度变薄的半导体装置的制造方法以及半导体装置。该半导体装置具备:绝缘电路基板(40),在一个主面具有第一金属层(2)和第十金属层(23);金属板(5),与第一金属层(2)电连接;第一半导体元件(7),在正面和背面具备多个金属电极(7c);第一绝缘部件(8),配置在第一半导体元件(7)的侧面;第二绝缘部件(9),配置在第一绝缘部件(8)上和第一半导体元件(7)上;以及第六金属层(11a),至少一部分配置在第二绝缘部件(9)上,且将第一半导体元件(7)的金属电极(7c)与第十金属层(23)电连接。
公开/授权文献
- CN106469688A 半导体装置以及半导体装置的制造方法 公开/授权日:2017-03-01
IPC分类: