- 专利标题： 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
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申请号： CN201580033176.X申请日： 2015-06-09
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公开(公告)号： CN106471610B公开(公告)日： 2021-01-22
- 发明人: 冈崎健一 , 肥塚纯一 , 神长正美 , 井口贵弘
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 李跃龙
- 优先权： 2014-126787 2014.06.20 JP
- 国际申请： PCT/IB2015/054335 2015.06.09
- 国际公布： WO2015/193766 EN 2015.12.23
- 进入国家日期： 2016-12-20
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; G02F1/1368 ; H01L21/318 ; H01L21/471 ; H01L21/473 ; H01L29/786 ; H01L21/316
摘要：
在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。
公开/授权文献
- CN106471610A 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 公开/授权日：2017-03-01