公开(公告)号：CN113016090A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201980072751.5

申请日：2019-10-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC分类号： H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

摘要： 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、金属氧化物层及导电层。半导体层、第二绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在第一绝缘层上。第二绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，导电层及金属氧化物层的端部位于第二绝缘层的端部的内侧。第三绝缘层与第一绝缘层的顶面、半导体层的顶面及侧面、第二绝缘层的顶面及侧面、金属氧化物层的侧面以及导电层的顶面及侧面接触。半导体层具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域。第一区域与第一绝缘层及金属氧化物层重叠。第二区域夹持第一区域且与第二绝缘层重叠而不与金属氧化物层重叠。第三区域夹持第一区域及一对第二区域且不与第二绝缘层重叠。第三区域与第三绝缘层接触并具有其电阻低于第一区域的部分。第二区域具有其电阻高于第三区域的部分。

公开(公告)号：CN112805838A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980065656.2

申请日：2019-09-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 佐藤来 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  白石孝 ,  斋藤晓 ,  中泽安孝

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

摘要： 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。

公开(公告)号：CN112436021A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011380786.6

申请日：2016-01-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

摘要： 本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。

公开(公告)号：CN106471610B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201580033176.X

申请日：2015-06-09

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/318 ,  H01L21/471 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

摘要： 在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。

公开(公告)号：CN111602253A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201880081313.0

申请日：2018-12-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  生内俊光 ,  神长正美 ,  黑崎大辅

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477

摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一绝缘层及第一导电层。半导体层具有岛状的顶面形状。第一绝缘层以与半导体层的顶面及侧面接触的方式设置。第一导电层位于第一绝缘层上并具有与半导体层重叠的部分。另外，半导体层包含金属氧化物，第一绝缘层包含氧化物。半导体层具有与第一导电层重叠的第一区域以及不与第一导电层重叠的第二区域。第一绝缘层具有与第一导电层重叠的第三区域以及不与第一导电层重叠的第四区域。另外，第二区域及第四区域包含磷或硼。

公开(公告)号：CN111446259A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201911299399.7

申请日：2014-12-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN111129039A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911375684.2

申请日：2014-12-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

摘要： 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN108292683A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680066525.2

申请日：2016-11-09

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  神长正美

IPC分类号： H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC分类号： G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

摘要： 在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。

公开(公告)号：CN107210226A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008319.6

申请日：2016-01-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786

摘要： 本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。

公开(公告)号：CN106409919A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610584634.5

申请日：2016-07-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  后藤尚人

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/78606 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G06F1/1643 ,  G06F1/169 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 抑制包括氧化物半导体的晶体管的电特性变动并提高其可靠性。晶体管包括：第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的栅电极；与第二绝缘膜的侧面接触的金属氧化膜；以及氧化物半导体膜、栅电极以及金属氧化膜上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括：重叠于栅电极的沟道区域；与第三绝缘膜接触的源区域；以及与第三绝缘膜接触的漏区域。源区域及漏区域包含如下一种以上：氢、硼、碳、氮、氟、磷、硫、氯、钛、稀有气体。